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龙图腾网恭喜株式会社索思未来申请的专利差动放大电路、接收电路以及半导体集成电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114788174B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980102950.6，技术领域涉及：H03F3/45；该发明授权差动放大电路、接收电路以及半导体集成电路是由藤村拓弥;加纳英树设计研发完成，并于2019-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本差动放大电路、接收电路以及半导体集成电路在说明书摘要公布了：差动放大电路部具有：第一以及第二晶体管205、206，设置在电流源电路与负载电路之间，在栅极接受差动输入信号，在漏极生成差动输出信号；以及第三晶体管433，连接在第一以及第二晶体管的源极之间，在栅极接受控制信号，复制放大电路部具有：电压生成电路，生成第一以及第二基准电压；第一以及第二复制晶体管416、417，是第一以及第二晶体管的复制品，在栅极接受第一以及第二基准电压，在漏极生成复制输出信号；第三复制晶体管415，连接在第一以及第二复制晶体管的源极之间，在栅极接受控制信号；以及运算放大器422，根据第一以及第二基准电压中的至少一方与复制输出信号之差，生成控制信号。

本发明授权差动放大电路、接收电路以及半导体集成电路在权利要求书中公布了：1.一种差动放大电路，其中，具有：差动放大电路部；以及复制放大电路部，上述差动放大电路部具有：第一晶体管以及第二晶体管，设置在电流源电路与负载电路之间，在栅极接受差动输入信号，在漏极生成差动输出信号；以及第三晶体管，连接在上述第一晶体管以及第二晶体管的源极之间，在栅极接受控制信号，上述复制放大电路部具有：电压生成电路，生成第一基准电压以及第二基准电压；第一复制晶体管以及第二复制晶体管，是上述第一晶体管以及第二晶体管的复制品，在栅极接受上述第一基准电压以及第二基准电压，在漏极生成复制输出信号；第三复制晶体管，连接在上述第一复制晶体管以及第二复制晶体管的源极之间，在栅极接受上述控制信号；以及运算放大器，根据上述第一基准电压以及第二基准电压中的至少一方与上述复制输出信号之差，生成上述控制信号，上述运算放大器生成上述控制信号，以使得上述复制放大电路部的增益恒定。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社索思未来，其通讯地址为：日本神奈川县；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。