恭喜苏州维业达科技有限公司;苏州苏大维格科技集团股份有限公司;苏州大学周小红获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜苏州维业达科技有限公司;苏州苏大维格科技集团股份有限公司;苏州大学申请的专利一种导电膜的制作方法及导电膜获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111446041B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910045074.X，技术领域涉及：H01B13/00；该发明授权一种导电膜的制作方法及导电膜是由周小红;基亮亮;刘麟跃;姚益明设计研发完成，并于2019-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种导电膜的制作方法及导电膜在说明书摘要公布了：本发明公开一种导电膜的制作方法，该导电膜包括基材、结构层和导电层，该方法包括：在结构层形成深度相同的多个凹槽；以及在多个凹槽内形成具有第一图形的第一导电层；在多个凹槽内形成具有第二图形的绝缘层；在绝缘层上形成具有第三图形的第二导电层；其中，第一图形与第三图形不相同，第三图形至少与第二图形的部分图形相同。本发明还公开一种导电膜，采用上述方法制作。通过将多个图形不相同的导电层在同一多个凹槽中制作，使各导电层的对位精度高，从而保证导电膜的使用效果。
本发明授权一种导电膜的制作方法及导电膜在权利要求书中公布了：1.一种导电膜的制作方法，该导电膜包括基材、结构层和导电层，其特征在于，该方法包括：在所述结构层形成深度相同的多个凹槽；以及在所述多个凹槽内形成具有第一图形的第一导电层；在所述多个凹槽内形成具有第二图形的绝缘层；在所述绝缘层上形成具有第三图形的第二导电层；其中，所述第一图形与所述第三图形不相同，但所述第三图形与所述第一图形具有部分图形相同；所述第三图形至少与所述第二图形的部分图形相同；所述第二图形与所述多个凹槽形成的图形相同。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州维业达科技有限公司;苏州苏大维格科技集团股份有限公司;苏州大学，其通讯地址为：215026 江苏省苏州市苏州工业园区新昌路68号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号