恭喜富士电机株式会社上村和贵获国家专利权
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龙图腾网恭喜富士电机株式会社申请的专利半导体装置及半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109979935B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811553511.0，技术领域涉及：H10D84/80；该发明授权半导体装置及半导体装置的制造方法是由上村和贵;洼内源宜设计研发完成，并于2018-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体装置及半导体装置的制造方法，所述半导体装置在半导体基板设置有二极管区，二极管区包括：第一导电型的基区，以在半导体基板的上表面露出的方式设置；第二导电型的阴极区，以在半导体基板的下表面露出的方式设置；第一导电型的阴极间区域，以在半导体基板的下表面露出的方式设置，且在预先设定的方向上与阴极区交替地配置；以及第二导电型的浮置区，设置在阴极区的上方和阴极间区域的上方。
本发明授权半导体装置及半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置在半导体基板设置有二极管区，所述二极管区包括：第一导电型的基区，以在所述半导体基板的上表面露出的方式设置；第二导电型的阴极区，以在所述半导体基板的下表面露出的方式设置；第一导电型的阴极间区域，以在所述半导体基板的下表面露出的方式设置，且在预先设定的方向上与所述阴极区交替地配置；以及第一导电型的浮置区，设置在所述阴极区的上方和所述阴极间区域的上方，所述二极管区还包括虚设沟槽部，所述虚设沟槽部在所述半导体基板的上表面沿延伸方向延伸地设置，所述阴极区和所述阴极间区域在所述延伸方向上交替地配置，在俯视时的所述延伸方向上，所述浮置区与一个以上的整个所述阴极间区域重叠，且不与所述阴极区域的一部分重叠。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人富士电机株式会社，其通讯地址为：日本神奈川县川崎市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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