合肥幺正量子科技有限公司金沐灿获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥幺正量子科技有限公司申请的专利一种在离子阱中装载离子晶体构型的方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118486580B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410577914.8，技术领域涉及：H01J49/42；该发明授权一种在离子阱中装载离子晶体构型的方法及系统是由金沐灿;贺冉设计研发完成，并于2024-05-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种在离子阱中装载离子晶体构型的方法及系统在说明书摘要公布了：本发明提供了一种在离子阱中装载离子晶体构型的方法及系统，具体的包括：一种在离子阱中装载离子晶体构型的方法，所述方法包括：S1：在离子阱中囚禁一维或多维离子晶体并确定预设离子晶体构型；S2：通过在预设位置施加相应排列构型的激光场，对准预设离子晶体构型，形成针对预设离子晶体构型的局域光势阱；S3：基于局域光势阱与电势阱的叠加形成新的总势阱，增加预设离子晶体构型的加载概率，或实现对预设离子晶体构型的稳定囚禁，或用于引导预设离子晶体构型之外的离子晶体构型转变为预设离子晶体构型。本发明实现了对一维或多维离子晶体的离子进行固定，增加目标构型出现的概率，使得每次重新装载离子，都能得到确定构型的晶体构型。
本发明授权一种在离子阱中装载离子晶体构型的方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种在离子阱中装载离子晶体构型的方法，其特征在于，所述方法包括：S1：在离子阱中囚禁一维或多维离子晶体并确定预设离子晶体构型，其中，在离子阱中囚禁一维或多维离子晶体后，测量相应不同离子晶体构型的格点坐标，以确定预设离子晶体构型；S2：通过在预设位置施加相应排列构型的激光场，对准预设离子晶体构型，形成针对预设离子晶体构型的局域光势阱；S3：基于局域光势阱与电势阱的叠加形成新的总势阱，增加预设离子晶体构型的加载概率，或实现对预设离子晶体构型的稳定囚禁，或用于引导预设离子晶体构型之外的离子晶体构型转变为预设离子晶体构型。
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