芯恩(青岛)集成电路有限公司孔森获国家专利权
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龙图腾网获悉芯恩(青岛)集成电路有限公司申请的专利金属互连结构及半导体器件获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN222801806U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202420851096.1,技术领域涉及:H01L23/538;该实用新型金属互连结构及半导体器件是由孔森;尹晓明设计研发完成,并于2024-04-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本金属互连结构及半导体器件在说明书摘要公布了:本实用新型提供一种金属互连结构及半导体器件,通过在M层金属互连单元中设置第一结构,其将位于下层的金属互连单元的金属互连层伸入与其相邻的上层金属互连单元的介质层中,且由于每层的金属互连线的高度为预设高度不可改变,从而相对于现有的金属互连结构相比,本申请的第一结构将位于最下层的金属互连单元的介质层的厚度变薄,以将减薄的介质层厚度传递至第一结构中的其他金属互连单元的介质层中,从而使得第一结构中其他金属互连单元介质层的厚度相对于现有的金属互连单元的绝缘层的厚度加厚,厚度增大的介质层可以有效改善和缓解上方顶层金属互连结构过大的尺寸对下方金属互连单元产生的应力,同时还不会增加金属互连结构中介质层的总厚度。
本实用新型金属互连结构及半导体器件在权利要求书中公布了:1.一种金属互连结构,其特征在于,所述金属互连结构包括:设置在半导体基底上且依次相邻且堆叠的M层金属互连单元,M≥2;每层所述金属互连单元包括金属互连线及介质层;其中,所述金属互连线包括位于下层的金属互连通孔及位于上层的金属互连层,且每层的所述金属互连线的高度相同,所述金属互连线被至少部分所述介质层包覆,每层所述金属互连单元的金属互连线的下表面与其介质层的下表面的至少部分齐平;上下相邻层的所述金属互连单元的所述金属互连线之间接触式电性连接;M层所述金属互连单元中包括至少一个第一结构,所述第一结构包括:至少两层上下相邻的所述金属互连单元,且位于下层的所述金属互连单元的至少部分所述金属互连层伸入与其相邻的上层的所述金属互连单元的至少部分所述介质层中以被包覆预设高度;所述第一结构中最下层的所述金属互连单元的所述介质层的厚度最薄。
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