恭喜扬州国宇电子有限公司金炜获国家专利权
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龙图腾网恭喜扬州国宇电子有限公司申请的专利一种TMBS器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118039705B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410188769.4，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权一种TMBS器件及其制备方法是由金炜;马文力;徐婷;梁天奇;徐大斌设计研发完成，并于2024-02-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种TMBS器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了半导体技术领域内的一种TMBS器件及其制备方法。该TMBS器件包括：N+型硅衬底；N‑型硅外延，设置于N+型硅衬底上方，N‑型硅外延上部设置有多个刻蚀孔，刻蚀孔由位于上部的浅槽区和位于下部的深孔区构成，深孔区内径从上至下逐渐减小，刻蚀孔内壁设置有氧化硅，刻蚀孔内填充有导电多晶硅；势垒合金，设置于N‑型硅外延上方；正面金属，设置于势垒合金、刻蚀孔上方。该TMBS器件的刻蚀孔下部深孔区形成斜角侧壁形态，电荷耦合效率增强，平分了电场力，提供了更高的雪崩击穿电压值；且刻蚀孔全部置于N‑型硅外延层内，避免肖特基接触区电场强度过高，将电场线集中在圆孔边缘底部，同样的反偏电压下，漏电流明显降低。
本发明授权一种TMBS器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种TMBS器件，其特征在于，包括：N+型硅衬底；N-型硅外延，设置于所述N+型硅衬底上方，所述N-型硅外延上部设置有多个刻蚀孔，所述刻蚀孔由位于上部的浅槽区和位于下部的深孔区构成，所述深孔区内径从上至下逐渐减小，所述浅槽区内径大于所述深孔区最大内径，所述浅槽区深度为0.5-0.7μm，所述深孔区深度为1.5-4μm，所述深孔区侧壁呈斜角，倾斜角度为100-120°，所述刻蚀孔由直角转为钝角结构，所述刻蚀孔内壁设置有氧化硅，所述刻蚀孔内填充有导电的多晶硅；势垒合金，设置于所述N-型硅外延上方；正面金属，设置于所述势垒合金、所述刻蚀孔上方；背面金属，设置于所述N+型硅衬底下方。
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