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龙图腾网恭喜中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利双极型功率器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116741634B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310737343.5，技术领域涉及：H10D12/01；该发明授权双极型功率器件及其制备方法是由伊艾伦;欧欣;周民设计研发完成，并于2023-06-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本双极型功率器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种双极型功率器件及其制备方法，该方法通过在高质量的碳化硅单晶衬底上的外延层与其中的剥离层之间制作嵌有掺杂子区的阱区，并与低质量的中间碳化硅衬底进行一次键合；沿剥离层剥离包含碳化硅单晶衬底在内的部分器件结构并对剥离表面进行后处理，暴露经剥离的外延层中的第二面并对其进行导电处理，形成第二器件结构；将具有双面注入层的硅衬底与倒置的第二器件结构进行二次键合；去掉中间碳化硅衬底并激活键合界面，并制备电极层以形成双极型功率器件。从而在克服硅基制备碳化硅材料困难的基础上，降低碳化硅单片成本，提供了一种用于低成本制备高耐压的双极型功率器件器件的解决方案。

本发明授权双极型功率器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种双极型功率器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供碳化硅单晶衬底，在所述碳化硅单晶衬底上同质外延一外延层；对所述外延层外露的第一面进行第一离子注入，在所述外延层中形成剥离层；所述外延层中的第一离子的注入能量是常规的离子注入能量的5～15倍，且所述剥离层与所述外延层外露的第一面的距离大于所述剥离层与所述外延层的下边缘的距离；在所述第一面与所述剥离层之间制作嵌有掺杂子区的阱区，形成不包含电极层的第一器件结构；在形成所述第一器件结构步骤之后与执行后续导电处理步骤之间的过程中，所述嵌有掺杂子区的阱区无需执行退火处理以掺杂激活；提供中间碳化硅衬底，并基于所述第一面与所述第一器件结构进行一次键合；所述碳化硅单晶衬底的衬底质量高于所述中间碳化硅衬底的衬底质量；沿所述剥离层的层方向，剥离包含所述碳化硅单晶衬底在内的部分器件结构，并对剥离后的器件结构的剥离表面进行后处理，暴露经剥离的外延层中的第二面；所述剥离后的器件结构不包含所述碳化硅单晶衬底；对所述第二面进行导电处理，形成第二器件结构；所述第二器件结构不包含所述碳化硅单晶衬底；在形成所述第二器件结构过程中执行退火处理，所述退火处理至少用于激活所述嵌有掺杂子区的阱区中的掺杂剂，所述退火处理在剥离掉所述碳化硅单晶衬底步骤之后执行；获取具有双面注入层的硅衬底，并基于所述第二面与倒置的所述第二器件结构进行二次键合；所述双面注入层中各自注入的离子包括导电类型相反的第一导电类型和第二导电类型；在所述第二导电类型与所述碳化硅单晶衬底的导电类型不同的情况下，所述第二导电类型的离子注入能量高于靠近所述第二器件结构的所述第一导电类型的离子注入能量；去掉所述中间碳化硅衬底并激活键合界面，形成第三器件结构；在所述第三器件结构上制备电极层，形成双极型功率器件；其中，在形成第二器件结构之后，所述方法还包括：对剥离后的碳化硅单晶衬底进行回收处理，得到回收后的碳化硅单晶衬底；所述回收后的碳化硅单晶衬底用于制备所述双极型功率器件；所述回收处理步骤包括：依次对剥离的碳化硅单晶衬底进行热氧化处理、氢氟酸处理和抛光处理，抛光后的薄膜去除厚度不超过500nm，即得到所述回收后的碳化硅单晶衬底；其中，热氧化处理的条件包括：在1300℃纯氧环境中湿法氧化2～5小时。

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