恭喜电子科技大学许向东获国家专利权
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龙图腾网恭喜电子科技大学申请的专利DAST薄膜作为有机热释电材料的应用及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116621468B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310166576.4，技术领域涉及：C03C17/42；该发明授权DAST薄膜作为有机热释电材料的应用及其制备方法是由许向东;李双青;张敏刚;胡文杰;蒋亚东;唐佳辉;时友水;孙瑞良;张丰尧设计研发完成，并于2023-02-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本DAST薄膜作为有机热释电材料的应用及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于热释电材料相关领域，具体提供一种DAST薄膜作为有机热释电材料的应用及其制备方法，用以提高有机热释电材料的热释电系数。本发明采用旋涂和喷涂相结合的方法制备DAST4‑4‑二甲氨基苯乙烯基甲基吡啶对甲苯磺酸盐有机薄膜，并进行退火和极化处理，利用DAST分子的高度非中心对称性，使DAST薄膜获得较大的热释电电流，从而将环境中的热能转换为电能，实现DAST有机薄膜作为有机热释电材料的应用；与传统无机热释电材料相比较，DAST薄膜作为一种有机热释电材料具有柔性、环保、工艺简单、价格低廉等优点，除了可以应用在传感器、探测器、执行器等器件中以外，还可以应用在生物兼容性、可穿戴器件等领域。
本发明授权DAST薄膜作为有机热释电材料的应用及其制备方法在权利要求书中公布了：1.DAST薄膜作为有机热释电材料的应用，其特征在于，所述DAST（4-4-二甲氨基苯乙烯基甲基吡啶对甲苯磺酸盐）薄膜制备在ITO玻璃的ITO层的上表面，制备过程为：采用旋涂和喷涂相结合的方法将DAST有机溶液同时涂覆于ITO层上表面形成DAST有机薄膜，且DAST有机薄膜经过退火、极化处理，退火温度为120～200℃；DAST薄膜的上表面沉积导电层，导电层作为上电极、ITO层作为下电极，在温度变化作用下，DAST薄膜在表面电极上产生感应电荷，将热能转换成电能，产生热释电电流。
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