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龙图腾网恭喜武汉新芯集成电路股份有限公司申请的专利电容器及其制造方法、工作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116314150B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310160161.6，技术领域涉及：H01L23/64；该发明授权电容器及其制造方法、工作方法是由徐瑞璋;鲁林芝;常冰岩设计研发完成，并于2023-02-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本电容器及其制造方法、工作方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种电容器及其制造方法、工作方法，所述电容器包括：基底；自下向上形成于所述基底上的下极板、第一介质层和上极板，所述下极板包括金属层，所述上极板包括N型掺杂多晶硅层；或者，所述下极板包括N型掺杂多晶硅层，所述上极板包括金属层；或者，所述下极板和所述上极板均包括N型掺杂多晶硅层。本发明的技术方案使得电容器具有可变的多种电容值的同时，还能避免增加工艺的复杂性、提升成本以及造成芯片面积的浪费。

本发明授权电容器及其制造方法、工作方法在权利要求书中公布了：1.一种电容器，其特征在于，包括：基底；自下向上形成于所述基底上的下极板、第一介质层和上极板，所述下极板包括金属层，所述上极板包括N型掺杂多晶硅层，使得将所述上极板接正电压时，所述上极板靠近所述第一介质层的部分厚度形成耗尽层作为等效介质层，所述第一介质层和所述等效介质层共同作为所述电容器的介质层；或者，所述下极板包括N型掺杂多晶硅层，所述上极板包括金属层，使得将所述下极板接正电压时，所述下极板靠近所述第一介质层的部分厚度形成耗尽层作为等效介质层，所述第一介质层和所述等效介质层共同作为所述电容器的介质层；或者，所述下极板和所述上极板均包括N型掺杂多晶硅层，使得将所述下极板接正电压时，所述下极板靠近所述第一介质层的部分厚度形成耗尽层作为等效介质层，所述第一介质层和所述等效介质层共同作为所述电容器的介质层，且使得将所述上极板接正电压时，所述上极板靠近所述第一介质层的部分厚度形成耗尽层作为等效介质层，所述第一介质层和所述等效介质层共同作为所述电容器的介质层；所述N型掺杂多晶硅层的材质为掺杂N型离子的多晶硅，使得所述N型掺杂多晶硅层中的多子为电子。

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