恭喜美光科技公司D·维梅尔卡蒂获国家专利权
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龙图腾网恭喜美光科技公司申请的专利存储器装置中的信号产生电路系统布局获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116645984B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310160976.4，技术领域涉及：G11C5/06；该发明授权存储器装置中的信号产生电路系统布局是由D·维梅尔卡蒂设计研发完成，并于2023-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器装置中的信号产生电路系统布局在说明书摘要公布了：本申请案涉及存储器装置中的信号产生电路系统布局。存储器装置可包含相对于衬底定位于存储器裸片的多个层级中的信号产生电路系统。举例来说，用于产生存取信号的一组第一晶体管可定位于存储器裸片的第一层级上，且用于产生所述存取信号的一组第二晶体管可定位于所述存储器裸片的第二层级上。所述一组第一晶体管及所述一组第二晶体管的形成可涉及与在相应层级上形成其它晶体管共同的处理操作，所述其它晶体管例如单元选择晶体管、层面选择晶体管、分流晶体管及所述相应层级的其它晶体管。
本发明授权存储器装置中的信号产生电路系统布局在权利要求书中公布了：1.一种设备，其包括：第一数字线，其与衬底上方的存储器裸片的第一层级相关联，所述第一数字线与所述存储器裸片的第一组存储器单元耦合；第二数字线，其与所述衬底上方的所述存储器裸片的第二层级相关联，所述第二数字线与所述存储器裸片的第二组存储器单元耦合；第一晶体管，其与所述存储器裸片的所述第一层级相关联且能够操作以将所述第一数字线与和所述存储器裸片的感测放大器耦合的第一导体耦合；第二晶体管，其与所述存储器裸片的所述第二层级相关联且能够操作以将所述第二数字线与所述第一导体耦合；第三晶体管，其与所述存储器裸片的所述第一层级相关联且能够操作以将所述第一导体与电压源耦合；以及第四晶体管，其与所述存储器裸片的所述第二层级相关联且具有耦合在所述第一导体与第二导体之间的沟道部分。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人美光科技公司，其通讯地址为：美国爱达荷州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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