恭喜深圳市华星光电半导体显示技术有限公司周黎斌获国家专利权
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龙图腾网恭喜深圳市华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利显示面板、显示装置及显示面板的制作方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114975543B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210530707.8,技术领域涉及:H10K59/121;该发明授权显示面板、显示装置及显示面板的制作方法是由周黎斌设计研发完成,并于2022-05-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本显示面板、显示装置及显示面板的制作方法在说明书摘要公布了:本申请实施例公开了一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法。显示面板包括依次设置的衬底基板、遮光层、缓冲层、薄膜晶体管层和阳极层,薄膜晶体管层与遮光层电连接,薄膜晶体管层包括控制区和像素区,薄膜晶体管层对应像素区的位置开设有第一开口,阳极层则至少部分位于第一开口底部,且位于缓冲层背离衬底基板的一侧,阳极层与遮光层电连接。本申请将衬底基板和缓冲层共同作为平坦化层,由于缓冲层自身表面的粗糙度小且平整性好,通过将阳极层至少部分设置在第一开口内且位于缓冲层背离衬底基板的一侧,有助于提高该部分阳极层的平坦度,从而有利于提高制作在该部分阳极层上的后续膜层的厚度均一性,进而改善显示面板的显示均一性。
本发明授权显示面板、显示装置及显示面板的制作方法在权利要求书中公布了:1.一种显示面板,其特征在于,包括:衬底基板;遮光层,设置在所述衬底基板上;缓冲层,设置在所述遮光层背离所述衬底基板的一侧;薄膜晶体管层,设置在所述缓冲层背离所述衬底基板的一侧,所述薄膜晶体管层包括沿远离所述缓冲层的方向依次设置的有源层、第一绝缘层、栅极层、第二绝缘层和源漏极层,所述薄膜晶体管层与所述遮光层电连接;所述薄膜晶体管层包括控制区和像素区,所述薄膜晶体管层对应所述像素区的位置开设有第一开口,所述第一开口形成在第二绝缘层上,且所述第一开口底部仍保留部分所述第二绝缘层;阳极层,至少部分位于所述第一开口底部,所述阳极层位于所述缓冲层背离所述衬底基板的一侧,所述阳极层设置在所述第一开口底部的所述第二绝缘层上,所述阳极层与所述遮光层电连接;所述显示面板还包括像素定义层和发光层,所述像素定义层位于所述薄膜晶体管层背离所述衬底基板的一侧,所述像素定义层上对应所述像素区的位置开设有像素开口,所述像素开口露出部分所述阳极层;所述发光层位于所述像素开口露出的阳极层上,所述像素定义层上开设的所述像素开口的侧壁呈阶梯状,且所述像素开口沿远离所述衬底基板的方向逐渐扩张。
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