芯天下技术股份有限公司姬帅帅获国家专利权
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龙图腾网获悉芯天下技术股份有限公司申请的专利闪存芯片的可靠性测试方法、装置、电子设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114283868B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111628666.8，技术领域涉及：G11C16/34；该发明授权闪存芯片的可靠性测试方法、装置、电子设备及存储介质是由姬帅帅;叶继兴设计研发完成，并于2021-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本闪存芯片的可靠性测试方法、装置、电子设备及存储介质在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体集成电路技术领域，具体公开了一种闪存芯片的可靠性测试方法、装置、电子设备及存储介质，其中，方法包括以下步骤：以扇区或块为最小划分单位将闪存芯片存储区域划分为轻度擦除区域、中度擦除区域、重度擦除区域和不擦除区域；重复且依次地对轻度擦除区域、中度擦除区域和重度擦除区域分别进行a次、n*a次和m*a次cycle操作，直至重度擦除区域完成预设数量的cycle操作；获取重度擦除区域在cycle操作中的擦除时间；该方法能模拟芯片实际使用操作时不同区域产生不同程度操作的特性，从而使得最终获取的用于鉴别闪存芯片耐久性和数据保持能力的擦除时间。
本发明授权闪存芯片的可靠性测试方法、装置、电子设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种闪存芯片的可靠性测试方法，用于对闪存芯片进行测试以获取能用于鉴别闪存芯片的耐久性和数据保持能力的数据，其特征在于，所述方法包括以下步骤：以扇区或块为最小划分单位将闪存芯片存储区域划分为轻度擦除区域、中度擦除区域、重度擦除区域和不擦除区域；重复且依次地对轻度擦除区域进行a次cycle操作、对中度擦除区域进行n*a次cycle操作和对重度擦除区域进行m*a次cycle操作，直至所述重度擦除区域完成预设数量的cycle操作，其中,a、n和m均为正整数，且mn；获取所述重度擦除区域在所述cycle操作中的擦除时间。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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