恭喜杭州富芯半导体有限公司余祺获国家专利权
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龙图腾网恭喜杭州富芯半导体有限公司申请的专利一种MOS器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114220851B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111406269.6，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权一种MOS器件及其制作方法是由余祺设计研发完成，并于2021-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种MOS器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种MOS器件及其制作方法，该方法包括以下步骤：提供一衬底，所述衬底中设有在水平方向上间隔设置的源区与漏区；形成三明治结构于所述衬底上，所述三明治结构包括自下而上依次堆叠的第一SiO2层、高K介质层及第二SiO2层；形成凹槽，所述凹槽自所述第二SiO2层的上表面开口并往下延伸至所述高K介质层中，所述凹槽在水平方向上位于所述源区与所述漏区之间，且在所述源区指向所述漏区的方向上，所述凹槽两端的深度小于中间的深度；形成栅极导电层，所述栅极导电层位于所述第二SiO2层上，并填充进所述凹槽中，所述栅极导电层的宽度大于所述凹槽的宽度；形成侧墙结构于所述栅极导电层的侧壁。本发明可以在不影响开启电压的情况下提高器件的耐压性能。
本发明授权一种MOS器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种MOS器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一衬底，所述衬底中设有在水平方向上间隔设置的源区与漏区；形成三明治结构于所述衬底上，所述三明治结构包括自下而上依次堆叠的第一SiO2层、高K介质层及第二SiO2层；形成凹槽于所述三明治结构中，所述凹槽自所述第二SiO2层的上表面开口并往下延伸，但未贯穿所述三明治结构，所述凹槽在水平方向上位于所述源区与所述漏区之间，且在所述源区指向所述漏区的方向上，所述凹槽两端的深度小于所述凹槽中间的深度；形成栅极导电层，所述栅极导电层填充于所述凹槽中，且所述栅极导电层的顶面高于所述第二SiO2层的顶面；形成侧墙结构于所述栅极导电层的侧壁。
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