恭喜福吉米株式会社布兰登·克罗克特获国家专利权
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龙图腾网恭喜福吉米株式会社申请的专利使用包含氧化剂的清洁剂的CMP后缺陷的有效减少获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114250117B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111030957.7,技术领域涉及:C11D1/06;该发明授权使用包含氧化剂的清洁剂的CMP后缺陷的有效减少是由布兰登·克罗克特;吉米·格兰斯特伦姆设计研发完成,并于2021-09-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本使用包含氧化剂的清洁剂的CMP后缺陷的有效减少在说明书摘要公布了:本发明涉及使用包含氧化剂的清洁剂的CMP后缺陷的有效减少。本技术总体上涉及用于清洁CMP后半导体表面的液体组合物,和其上具有二氧化铈CeO2颗粒的半导体表面的清洁方法。
本发明授权使用包含氧化剂的清洁剂的CMP后缺陷的有效减少在权利要求书中公布了:1.一种用于清洁CMP后半导体表面的液体组合物,其包括:氧化剂组合物,其中所述氧化剂组合物的标准还原电位E°2.0V;和碱性胺化合物和表面活性剂中的至少之一,其中所述氧化剂组合物包括至少两种不同的氧化性化合物,所述至少两种不同的氧化性化合物包括过硫酸盐和过氧化氢。
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