恭喜中芯北方集成电路制造(北京)有限公司蔡巧明获国家专利权
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龙图腾网恭喜中芯北方集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115084214B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110269371.X，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体结构及其形成方法是由蔡巧明;马丽莎设计研发完成，并于2021-03-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，结构包括：基底，包括第一器件区和第二器件区，第一器件区包括沟道区、位于沟道区两侧的预设区域以及环绕沟道区和预设区域的阱区接触区；第一隔离结构，位于预设区域与阱区接触区之间、以及阱区接触区与相邻第二器件区之间的基底内；多晶硅栅极，覆盖沟道区；第一源漏掺杂区，位于多晶硅栅极两侧的预设区域内；金属栅极，位于第二器件区的基底上；支撑结构，位于第一隔离结构的顶部；层间介质层，覆盖多晶硅栅极、金属栅极和支撑结构的侧壁。支撑结构能够改善第一隔离结构上方的层间介质层顶面凹陷问题，防止形成层间介质层和金属栅极的平坦化处理过程中接触第一源漏掺杂区及阱区接触区，提升半导体结构的性能。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底，包括用于形成第一器件的第一器件区和用于形成第二器件的第二器件区，所述第一器件的沟道长度大于所述第二器件的沟道长度，所述第一器件区的基底包括沟道区、沿沟道区长度方向位于所述沟道区两侧的预设区域以及环绕所述沟道区和预设区域的阱区接触区；第一隔离结构，位于所述预设区域与所述阱区接触区之间、以及所述阱区接触区与相邻所述第二器件区之间的基底内；多晶硅栅极，覆盖于所述沟道区的基底上；第一源漏掺杂区，位于所述多晶硅栅极两侧的所述预设区域的基底内；金属栅极，位于所述第二器件区的基底上；第二源漏掺杂区，位于所述金属栅极两侧的基底内；支撑结构，位于所述第一隔离结构的顶部上；层间介质层，位于所述基底上且覆盖所述多晶硅栅极、金属栅极以及所述支撑结构的侧壁。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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