恭喜长春长光辰芯光电技术有限公司(日本)木村雅俊获国家专利权
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龙图腾网恭喜长春长光辰芯光电技术有限公司(日本)申请的专利背照式和电子冲击型CMOS传感器的制造方法、像素及传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112992952B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110169500.8，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权背照式和电子冲击型CMOS传感器的制造方法、像素及传感器是由木村雅俊;周泉;王欣洋设计研发完成，并于2021-02-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本背照式和电子冲击型CMOS传感器的制造方法、像素及传感器在说明书摘要公布了：本发明提供一种能够抑制形成于表面的模拟电路的特性的偏移以及偏差的增加的背照式CMOS传感器以及电子冲击型CMOS传感器的制造方法。背照式CMOS传感器100的制造方法包括：在硅基板305的内部形成N型的感光区50的形成工序；向硅基板305的背面注入形成P+扩散层270的离子的注入工序；以及为了将注入的离子激活而从背面照射激光的照射工序，对背照式CMOS传感器100的、除了表面形成有模拟电路40的区域以外照射激光。
本发明授权背照式和电子冲击型CMOS传感器的制造方法、像素及传感器在权利要求书中公布了：1.一种背照式CMOS传感器的制造方法，其特征在于，包括：在硅基板的内部形成N型的感光区的形成工序；向所述硅基板的背面注入形成P+扩散层的离子的注入工序；以及为了将注入的离子激活而从所述硅基板的背面照射激光的照射工序；对背照式CMOS传感器除表面形成有模拟电路的区域以外照射所述激光，所述背照式CMOS传感器在与所述激光的扫描方向垂直的方向上，各像素的所述感光区和读出电路交替排布，在所述感光区沿着与所述激光的扫描方向垂直的方向延长的芯片周边排布所述模拟电路，并且在所述感光区沿着所述激光的扫描方向延长的芯片周边排布数字电路，所述激光照射到所述背照式CMOS传感器的所述感光区和所述表面形成有所述数字电路的区域。
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