买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利测试结构及其形成方法、套刻精度的检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823626B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110089675.8，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权测试结构及其形成方法、套刻精度的检测方法是由赵丹洋;孙林林;李强;王伟;王海舟;苏波;叶偲偲设计研发完成，并于2021-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本测试结构及其形成方法、套刻精度的检测方法在说明书摘要公布了：一种测试结构及其形成方法、套刻精度的检测方法，其中，检测方法包括：提供测试结构，所述测试结构包括：第一导电结构；第二导电结构；分别与所述第一导电结构连接的第一检测导电结构和第二检测导电结构；通过所述第一检测导电结构和第二检测导电结构对所述第一导电结构进行电阻检测，获取第一电阻；根据第一电阻获取导电结构的套刻精度检测结果，所述导电结构的套刻精度检测结果是第一导电结构和第二导电结构之间的套刻精度检测结果。从而，在不破坏半导体结构的同时，能够获取相邻的导电结构之间的套刻精度检测结果，以提高半导体结构的可靠性。

本发明授权测试结构及其形成方法、套刻精度的检测方法在权利要求书中公布了：1.一种测试结构，其特征在于，包括：第一导电结构，所述第一导电结构沿第一方向延伸；第二导电结构，所述第二导电结构沿第一方向延伸，所述第一导电结构和所述第二导电结构基于第一区和第二区形成，其中所述第一区通过第一次图形化处理形成，所述第二区通过在第一次图形化处理后进行的第二次图形化处理形成，所述第二区位于所述第一区内，所述第一导电结构和第二导电结构沿第二方向排布，所述第一导电结构和第二导电结构位于同层，且所述第一导电结构和第二导电结构间相互分立，所述第一方向和第二方向之间互相垂直；分别与所述第一导电结构连接的第一检测导电结构和第二检测导电结构，第一检测导电结构和第二检测导电结构配置为对所述第一导电结构进行电阻检测以获取第一电阻，所述第一电阻配置为获取导电结构的套刻精度检测结果，所述导电结构的套刻精度检测结果是第一导电结构和第二导电结构之间的套刻精度检测结果，其中获取导电结构的套刻精度检测结果的方法包括：提供预设第一电阻范围；当所述第一电阻在所述预设第一电阻范围内时，所述导电结构的套刻精度合格。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。