恭喜苏州晶湛半导体有限公司刘慰华获国家专利权
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龙图腾网恭喜苏州晶湛半导体有限公司申请的专利LED结构及其GaN基衬底、GaN基衬底的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116438665B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080106629.8，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权LED结构及其GaN基衬底、GaN基衬底的制作方法是由刘慰华;程凯设计研发完成，并于2020-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本LED结构及其GaN基衬底、GaN基衬底的制作方法在说明书摘要公布了：一种LED结构及其GaN基衬底、GaN基衬底的制作方法，GaN基衬底包括：图形化衬底10，包括多个凹陷部10a与多个凸起部10b；位于凹陷部10a的金属Ga层12’；以及位于金属Ga层12’与金属Ga层12’暴露出的凸起部10b上的第二半导体层13，第二半导体层13的材料为GaN基材料。LED发光结构形成在GaN基衬底上时，LED发光结构发出的光线经金属Ga层反射后，可从LED发光结构的上表面或侧表面出光，减少了光吸收，从而提高了LED发光结构的出光效率。
本发明授权LED结构及其GaN基衬底、GaN基衬底的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种GaN基衬底，其特征在于，包括：图形化衬底10，包括多个凹陷部10a与多个凸起部10b；位于所述凹陷部10a的金属Ga层12'；以及位于所述金属Ga层12'与所述金属Ga层12'暴露出的所述凸起部10b上的第二半导体层13，所述第二半导体层13的材料为GaN基材料；所述金属Ga层12'通过氢气与在所述凹陷部10a外延生长的第一半导体层12发生反应而形成，其中，所述第一半导体层12的材料为GaN。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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