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龙图腾网恭喜北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114497049B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011153452.5，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权半导体结构及其形成方法是由汪涵;胡建强;杨芸;郑凯;高颖设计研发完成，并于2020-10-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：贯穿浮栅和部分厚度基底的沟槽，包括位于单元阵列区的主沟槽、位于相邻一侧选择栅区的第一偏移槽、位于第一过渡区的第一过渡槽以及沿行向与第一偏移槽间隔排布的第一次沟槽，第一过渡槽具有分别对应在沿行向第一侧和第二侧的第一过渡侧壁、第二过渡侧壁，第一次沟槽具有与第二过渡侧壁相对的次侧壁；设定位于第一过渡区与第二过渡侧壁平行设置的第一参考边和第二参考边；第一过渡侧壁位于第一参考边沿行向的第一侧；或者，次侧壁位于第二参考边远离第二过渡侧壁的一侧；或者，第一过渡侧壁位于第一参考边沿行向的第一侧且次侧壁位于第二参考边远离第二过渡侧壁的一侧。本发明提升半导体结构的性能。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底，包括多个分立的单元阵列区，用于形成存储单元；所述基底还包括沿列向位于单元阵列区之间的选择栅区、沿列向位于单元阵列区和相邻一侧选择栅区之间的第一过渡区；浮栅，位于所述基底上；多条沿列向延伸且沿行向排布的沟槽，贯穿所述浮栅和部分厚度的基底，所述沟槽包括位于所述单元阵列区的主沟槽、位于相邻一侧选择栅区的第一偏移槽、以及位于所述主沟槽和第一偏移槽之间的第一过渡槽，所述第一过渡槽具有沿行向第一侧的第一过渡侧壁和在沿行向第二侧的第二过渡侧壁，所述第一偏移槽相对于主沟槽沿行向朝第一侧偏移；所述沟槽还包括沿行向与所述第一偏移槽间隔排布的第一次沟槽，所述第一次沟槽具有位于所述第一过渡区与第二过渡侧壁相对的次侧壁；设定位于所述第一过渡区、与所述第二过渡侧壁平行设置的第一参考边和第二参考边，分别对应位于所述第二过渡侧壁沿行向的第一侧和第二侧，所述第一参考边连接所述主沟槽和第一偏移槽沿行向第一侧的侧壁，所述第二参考边连接所述第一次沟槽位于选择栅区沿行向第一侧的侧壁；其中，所述第一过渡侧壁位于所述第一参考边沿行向的第一侧；或者，所述次侧壁位于所述第二参考边远离所述第二过渡侧壁的一侧；或者，所述第一过渡侧壁位于所述第一参考边沿行向的第一侧，且所述次侧壁位于所述第二参考边远离所述第二过渡侧壁的一侧；隔离结构，位于所述沟槽中。

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