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恭喜深圳基本半导体股份有限公司杜蕾获国家专利权

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龙图腾网恭喜深圳基本半导体股份有限公司申请的专利一种集成电路芯片散热结构获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN112071813B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202010789249.0,技术领域涉及:H01L23/367;该发明授权一种集成电路芯片散热结构是由杜蕾;张振中;和巍巍;汪之涵设计研发完成,并于2020-08-07向国家知识产权局提交的专利申请。

一种集成电路芯片散热结构在说明书摘要公布了:本发明公开了一种集成电路芯片散热结构,包括基底和基板。所述基底呈中空状,且一端开口形成收容槽。所述基底相对的两侧壁上分别设有与收容槽连通的第一接口及第二接口,第一接口用于向收容槽中注入冷却介质,第二接口用于将收容槽中的冷却介质排出。所述基板用于盖封基底的开口,及用于与集成电路芯片接触。所述基板靠近收容槽的一侧形成若干微流道,这些微流道沿冷却介质流经方向间隔分布。每个微流道包括若干间隔分布的微绕流单元,每个微绕流单元包括圆柱状的分流体,每个分流体沿冷却介质流经方向延伸形成板状的引流部,这些引流部相互平行。如此可降低冷却介质的流动阻力及压力波动,提高散热效果。

本发明授权一种集成电路芯片散热结构在权利要求书中公布了:1.一种集成电路芯片散热结构,用于对集成电路芯片进行散热,其特征在于,所述集成电路芯片散热结构包括:基底,所述基底呈中空状,且一端开口以形成收容槽,所述基底相对的两侧壁上分别设有与所述收容槽连通的第一接口及第二接口,所述第一接口用于向所述收容槽中注入冷却介质,所述第二接口用于将注入所述收容槽中的冷却介质排出;基板,所述基板用于盖封所述基底的开口,以及用于与所述集成电路芯片相接触,所述基板在靠近所述收容槽的一侧形成有若干微流道,所述若干微流道沿所述冷却介质流经方向间隔分布,以用于将所述集成电路芯片散发出的热量传导至所述冷却介质;每个微流道包括若干微绕流单元,这些微绕流单元间隔分布,每个微绕流单元包括分流体,所述分流体呈圆柱状,每个分流体均沿所述冷却介质流经方向延伸形成引流部,所述引流部均呈板状,且相互平行,所述引流部的厚度小于所述分流体的横截面直径,所述引流部的长度与所述分流体的横截面直径的比例大于9;每个微流道中的若干微绕流单元沿垂直于所述引流部延伸的方向上以第一宽度的间隙等间距分布。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人深圳基本半导体股份有限公司,其通讯地址为:518000 广东省深圳市坪山区龙田街道老坑社区光科一路6号青铜剑科技大厦1栋801;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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