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恭喜矽磐微电子(重庆)有限公司霍炎获国家专利权

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龙图腾网恭喜矽磐微电子(重庆)有限公司申请的专利半导体封装方法及半导体封装结构获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN111739867B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202010759781.8,技术领域涉及:H01L23/495;该发明授权半导体封装方法及半导体封装结构是由霍炎;涂旭峰设计研发完成,并于2020-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。

半导体封装方法及半导体封装结构在说明书摘要公布了:本申请提供一种半导体封装方法及半导体封装结构。该半导体封装方法包括:将引线框与多个待封装芯片贴装于载板上,且多个待封装芯片位于引线框的镂空区域中;通过包封层覆盖在待封装芯片、引线框以及露出的载板上,且填充于引线框的镂空区域内,形成包封结构件;在包封结构件的第一表面形成与待封装芯片的正面以及引线框的第一面均电连接的第一再布线结构,在包封结构件的第二表面形成与待封装芯片的背面以及引线框的第二面均电连接的第二再布线结构。该半导体封装结构通过该半导体封装方法制得。本申请的半导体封装结构通过引线框和双面重布线互连工艺,实现了芯片的双面互连封装,提升了产品的薄型化,可增强产品的电学信赖性。

本发明授权半导体封装方法及半导体封装结构在权利要求书中公布了:1.一种半导体封装方法,其特征在于,其包括:S1:将引线框与多个待封装芯片贴装于载板上,所述待封装芯片的正面朝向所述载板,所述引线框设有镂空区域,所述镂空区域沿厚度方向贯穿所述引线框,多个所述待封装芯片位于所述镂空区域中;所述引线框包括连接部,相邻所述镂空区域通过所述连接部隔开;S2:通过包封层覆盖在所述待封装芯片、所述引线框以及露出的所述载板上,且填充于所述引线框的镂空区域内,形成包封结构件,所述包封结构件包括第一表面和以及与所述第一表面相对设置的第二表面,所述待封装芯片的正面和所述引线框的第一面露出于所述第一表面;S3:在所述包封结构件的第一表面形成第一再布线结构,所述第一再布线结构与所述待封装芯片的正面以及所述引线框的第一面均电连接,在所述包封结构件的第二表面形成第二再布线结构,所述第二再布线结构与所述待封装芯片的背面以及所述引线框相对所述第一面设置的第二面均电连接;相邻两个所述镂空区域中的所述待封装芯片中,其中一个所述待封装芯片的正面通过所述第一再布线结构与所述连接部电连接,另一个所述待封装芯片的背面通过所述第二再布线结构与所述连接部电连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人矽磐微电子(重庆)有限公司,其通讯地址为:401331 重庆市沙坪坝区西永大道25号C栋;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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