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龙图腾网恭喜上海华力集成电路制造有限公司申请的专利第一层金属与其下层栅极物理短接缺陷的检测方法及结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113871311B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010611967.9，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权第一层金属与其下层栅极物理短接缺陷的检测方法及结构是由雷淑华设计研发完成，并于2020-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本第一层金属与其下层栅极物理短接缺陷的检测方法及结构在说明书摘要公布了：本发明涉及第一层金属与其下层栅极物理短接缺陷的检测方法，涉及缺陷检测技术，在晶圆的检测区域或者切割道区域设置并列设置的第一检测结构和第二检测结构，每一检测结构包括P型有源区、位于P型有源区上的检测栅极结构和接触孔、位于检测栅极结构的两端部的栅极接触孔、连接位于P型有源区上的接触孔的金属线以及连接栅极接触孔的金属线，并第一检测结构的检测栅极结构与位于其上的金属线至少部分重叠，第二检测结构的检测栅极结构与位于其上的金属线无重叠区域，可检测并锁定晶圆上第一层金属与下层栅极之间因物理接触而短接的缺陷，缩短缺陷发现的时间，第一检测结构和第二检测结构在半导体器件的形成过程中同步形成，工艺简单，成本低。

本发明授权第一层金属与其下层栅极物理短接缺陷的检测方法及结构在权利要求书中公布了：1.一种第一层金属与其下层栅极物理短接缺陷的检测方法，其特征在于，包括：S1：提供一晶圆，晶圆内包括多个曝光单元，每一曝光单元内包括多个芯片单元，多个芯片单元由切割道隔开，在晶圆的检测区域或者切割道区域形成第一P型有源区和第二P型有源区，并第一P型有源区和第二P型有源区并列设置；S2：在第一P型有源区上形成第一检测栅极结构，在第二P型有源区上形成第二检测栅极结构，第一检测栅极结构的两端延伸至第一P型有源区之外，并第一检测栅极结构的延伸至第一P型有源区之外的部分构成第一检测栅极结构的连接区域；第二检测栅极结构的两端延伸至第二P型有源区之外，并第二检测栅极结构的延伸至第二P型有源区之外的部分构成第二检测栅极结构的连接区域；S3：形成层间介质层，并进行平坦化工艺；S4：在层间介质层内形成接触孔，接触孔包括位于第一P型有源区上的第一接触孔、位于第二P型有源区上的第二接触孔、位于第一检测栅极结构的连接区域的第一栅极接触孔以及位于第二检测栅极结构的连接区域的第二栅极接触孔，并第一接触孔与与其相邻的第一检测栅极结构之间的间距等于第二接触孔与与其相邻的第二检测栅极结构之间的间距；S5：在层间介质层上形成第一层金属，第一层金属包括连接第一接触孔的第一金属线、连接第二接触孔的第二金属线、连接第一栅极接触孔的第三金属线以及连接第二栅极接触孔的第四金属线，并进行平坦化工艺，其中第一金属线与其下层第一检测栅极结构至少部分重叠，第二金属线与其下层第二检测栅极结构无重叠区域，使第一P型有源区、第一检测栅极结构、第一接触孔、第一栅极接触孔、第一金属线以及第三金属线形成第一检测结构，使第二P型有源区、第二检测栅极结构、第二接触孔、第二栅极接触孔、第二金属线以及第四金属线形成第二检测结构，第一检测结构和第二检测结构并列设置形成检测结构；以及S6：采用扫描电子显微镜进行缺陷检测，调节扫描电子显微镜的电压衬度，将对应第一金属线和第二金属线的成像调节成亮衬度，并对检测结构成像，获得第一检测结构与第二检测结构中的第一层金属的电压衬度成像图，若仅第一检测结构中的与位于栅极结构的连接区域上的接触孔连接的金属线出现偏亮衬度，则判断第一检测结构中的第一层金属与其下层栅极之间出现物理短接缺陷。

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