恭喜AMS有限公司格奥尔格·勒雷尔获国家专利权
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龙图腾网恭喜AMS有限公司申请的专利单光子雪崩二极管和单光子雪崩二极管阵列获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111033759B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201880051712.2，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权单光子雪崩二极管和单光子雪崩二极管阵列是由格奥尔格·勒雷尔设计研发完成，并于2018-07-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本单光子雪崩二极管和单光子雪崩二极管阵列在说明书摘要公布了：一种单光子雪崩二极管SPAD包括有源区10，该有源区布置为产生光子触发的雪崩电流。覆盖件12布置在有源区10上或之上。覆盖件12对有源区10屏蔽入射光子。覆盖件12包括至少第一金属层和第二金属层13、14的叠层。金属层13、14的至少一个，例如第一金属层13，包括孔15。金属层13、14布置为相对于光轴OA在叠层中以沿着光轴OA开放有效孔18。通过有效孔18，有源区10的部分19暴露于沿着光轴OA入射的入射光子。有效孔18比布置在第一金属层13中的孔15小。
本发明授权单光子雪崩二极管和单光子雪崩二极管阵列在权利要求书中公布了：1.一种单光子雪崩二极管SPAD，包括： 有源区（10），其布置为产生光子触发的雪崩电流， 覆盖件（12），其布置在所述有源区（10）上，并且对所述有源区（10）屏蔽入射光子； 其中： 所述覆盖件（12）包括至少第一金属层（13）和第二金属层（14）的叠层， 至少所述第一金属层（13）包括孔（15）并且所述第二金属层（14）包括孔（17）， 第一金属层（13）和第二金属层（14）相对于光轴（OA）布置为沿着所述光轴（OA）开放有效孔（18），通过所述有效孔，所述有源区（10）的部分（19）暴露于入射光子， 所述有效孔（18）比布置在所述第一金属层（13）中的孔（15）小，并且 第一金属层（13）中的孔（15）和第二金属层（14）中的孔（17）相对于所述光轴（OA）偏移。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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