恭喜台湾积体电路制造股份有限公司郭俊聪获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构、集成芯片及其制造方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN112750813B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202010513477.5,技术领域涉及:H10D84/40;该发明授权半导体结构、集成芯片及其制造方法是由郭俊聪;卢玠甫设计研发完成,并于2020-06-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构、集成芯片及其制造方法在说明书摘要公布了:本公开的各种实施例涉及一种包括电阻器结构的集成芯片。电阻层上覆在衬底之上。电阻器结构上覆在衬底之上。电阻器结构包括电阻层的电阻器区段及上覆在电阻器区段之上的导通孔结构。环结构封闭电阻器结构。环结构从导电结构上方的第一点连续延伸到电阻层的底表面下方的第二点。
本发明授权半导体结构、集成芯片及其制造方法在权利要求书中公布了:1.一种集成芯片,其特征在于包括:衬底;电阻层,上覆在所述衬底之上;电阻器结构,上覆在所述衬底之上,其中所述电阻器结构包括:所述电阻层的电阻器区段;上覆在所述电阻器区段之上的导电结构;及侧向封闭所述电阻器结构的环结构,其中所述环结构从所述导电结构上方的第一点连续延伸到所述电阻层的底表面下方的第二点。
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