恭喜蒂梅尔罗德科技有限责任公司D·M·格鲁恩获国家专利权
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龙图腾网恭喜蒂梅尔罗德科技有限责任公司申请的专利高效率石墨烯/宽带隙半导体异质结太阳能电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114402444B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080054924.3，技术领域涉及：H10F77/20；该发明授权高效率石墨烯/宽带隙半导体异质结太阳能电池是由D·M·格鲁恩设计研发完成，并于2020-06-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本高效率石墨烯/宽带隙半导体异质结太阳能电池在说明书摘要公布了：本文描述了一种光伏太阳能电池装置，其结合了解决先前未解决的以低成本制造高转换效率太阳能电池的问题的若干发现的优点。本文公开的太阳能电池设计和基本原理可以应用于任何类型的光伏太阳能应用，如大规模光伏太阳能电厂、屋顶太阳能面板、太阳能供能的电子装置和许多其他应用。
本发明授权高效率石墨烯/宽带隙半导体异质结太阳能电池在权利要求书中公布了：1.一种光伏太阳能电池装置，包括至少一个太阳能电池，所述至少一个太阳能电池是通过包括以下步骤的方法制备的：提供箔衬底；使用水热合成工艺在所述箔衬底上形成多个纳米线芯，所述纳米线芯包含氧化锌，其中，所述纳米线芯的至少大部分基本彼此对齐并且大致垂直于所述箔衬底延伸并且在所述纳米线芯的第一端电连接到所述箔衬底，所述水热合成工艺在氧化锌纳米线芯之间的箔衬底上形成非导电材料的基本连续的覆层；用至少一种多环芳烃包围所述多个纳米线芯；通过将所述纳米线芯和多环芳烃保持在足以热转化所述多环芳烃中的至少一些以形成多个壳的条件下来形成多个纳米线芯壳结构，每个壳包括石墨烯并且共形地设置在相应纳米线芯的一部分周围以形成光伏结；形成电连接到所述箔衬底的第一导电电极，并提供第一电路径以促进电子移动远离所述纳米线芯；以及在所述纳米线芯壳结构的第二端形成连接到石墨烯壳的第二导电电极，并提供第二电路径以促进正电荷移动远离所述石墨烯壳，其中，所述第二导电电极包括有效降低石墨烯的功函数的至少一种金属。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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