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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113539829B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010313555.7，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体结构及其形成方法是由张海洋;迟帅杰;宋佳设计研发完成，并于2020-04-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成伪栅结构；在所述伪栅结构的侧壁形成侧墙层；在所述基底上形成覆盖所述侧墙层侧壁的层间介质层；去除部分高度的所述伪栅结构和侧墙层，使所述层间介质层与剩余的所述伪栅结构和侧墙层围成凹槽；在所述凹槽的侧壁形成覆盖所述侧墙层顶面的保护层；去除剩余的所述伪栅结构，使所述保护层、侧墙层与所述基底围成栅极开口；在所述栅极开口中形成栅极结构。本发明实施例有利于提升半导体结构的性能。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成伪栅结构；在所述伪栅结构的侧壁形成侧墙层；在所述基底上形成覆盖所述侧墙层侧壁的层间介质层；去除部分高度的所述伪栅结构和侧墙层，使所述层间介质层与剩余的所述伪栅结构和侧墙层围成凹槽；在所述凹槽的侧壁形成覆盖所述侧墙层顶面的保护层，且保护层的侧面与侧墙层侧面齐平，形成所述保护层的步骤包括：形成保形覆盖所述凹槽底部和侧壁、以及所述层间介质层顶面的衬垫层；去除位于所述凹槽底部和层间介质层顶面的衬垫层，位于所述凹槽侧壁且与侧墙层侧面齐平的衬垫层用于作为所述保护层；去除位于所述凹槽底部和层间介质层顶面的衬垫层的步骤包括对位于所述凹槽底部和层间介质层顶面的衬垫层进行一次或多次的改性去除处理，且所述保护层覆盖所述层间介质层的侧壁；去除剩余的所述伪栅结构，使所述保护层、侧墙层与所述基底围成栅极开口；在所述栅极开口中形成栅极结构；对位于所述凹槽底部和层间介质层顶面的衬垫层进行改性处理，适于减小所述衬垫层的耐刻蚀度；去除改性处理后的衬垫层；进行所述改性处理的步骤包括：对位于所述凹槽底部和层间介质层顶面的衬垫层进行等离子体处理；所述衬垫层的材料包括碳化硅，所述等离子体处理采用的离子包括氮离子；去除改性处理后的衬垫层的工艺包括干法刻蚀工艺，所述干法刻蚀工艺的刻蚀气体包括CH2F2和C4F6。

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