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龙图腾网恭喜欧司朗光电半导体有限责任公司申请的专利具有绝缘层的光电半导体组件和用于制造光电半导体组件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113614934B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080021800.5，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权具有绝缘层的光电半导体组件和用于制造光电半导体组件的方法是由I.坦林;M.休伯设计研发完成，并于2020-03-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有绝缘层的光电半导体组件和用于制造光电半导体组件的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种光电半导体组件10，包括第一导电类型的第一半导体层110和第二导电类型的第二半导体层120。光电半导体组件10还包括：第一接触层130，其被布置为与第一半导体层110直接接触并且是导电的；和第一绝缘层125，其在第一和第二半导体层110，120上形成；以及第二电流扩展结构135，其与第二半导体层120电连接。第二半导体层120的最大横向尺寸大于第一半导体层110的最大横向尺寸，从而形成阶梯结构，并且第一绝缘层125被设计为第一和第二半导体层的阶梯结构上的保形层。光电半导体组件还包括在第一接触层130的水平表面与第二电流扩展结构135之间的第二绝缘层127。第二绝缘层127的层厚小于阶梯结构上的第一绝缘层125的最小层厚。

本发明授权具有绝缘层的光电半导体组件和用于制造光电半导体组件的方法在权利要求书中公布了：1.一种光电半导体组件10，包括：第一导电类型的第一半导体层110；第二导电类型的第二半导体层120，其中所述第一和第二半导体层110，120上下重叠地堆叠以形成半导体层堆叠；第一接触层130，所述第一接触层被布置为与所述第一半导体层110直接接触并且是导电的；第一绝缘层125，所述第一绝缘层在所述第一和第二半导体层110，120上形成；和第二电流扩展结构135，所述第二电流扩展结构与所述第二半导体层120电连接，其中，所述第二半导体层120的最大横向尺寸大于所述第一半导体层110的最大横向尺寸，从而形成阶梯结构，并且所述第一绝缘层125被设计为第一和第二半导体层的阶梯结构上的保形层，并且分别与所述第一和第二半导体层110，120直接邻接，并且所述光电半导体组件进一步具有：在所述第一接触层130的水平表面和所述第二电流扩展结构135之间的第二绝缘层127，其中所述第二绝缘层127与所述第一接触层的水平表面直接邻接，其中所述第二绝缘层127还与所述第二电流扩展结构135直接邻接，并且其中所述第二绝缘层127的层厚小于阶梯结构上的第一绝缘层125的最小层厚。

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