恭喜三星电子株式会社黄义澈获国家专利权
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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110783336B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910670044.8，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权半导体器件是由黄义澈;金柱然;罗炯柱;徐凤锡;俞尚旼;郑主护;李城门设计研发完成，并于2019-07-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件在说明书摘要公布了：提供了一种半导体器件。该器件包括在衬底上沿第一方向延伸的有源图案，围绕有源图案的侧壁的一部分的场绝缘膜，在有源图案和场绝缘膜上沿第二方向延伸的第一栅结构，与第一栅结构间隔开并在有源图案和场绝缘膜上沿第二方向延伸的第二栅结构，以及第一栅结构与第一栅结构之间的第一器件隔离膜，其中第一栅结构的面向第一器件隔离膜的侧壁包括相对于有源图案的上表面具有锐角的倾斜表面，并且第一器件隔离膜的最下表面低于场绝缘膜的最上表面或与场绝缘膜的最上表面基本上共面。
本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括：衬底；有源图案，在所述衬底上沿第一方向延伸；场绝缘膜，围绕所述有源图案的侧壁的一部分；第一栅结构，在所述有源图案和所述场绝缘膜上沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向相交；第二栅结构，与所述第一栅结构间隔开，并在所述有源图案和所述场绝缘膜上沿第二方向延伸；以及第一器件隔离膜，在所述第一栅结构和所述第二栅结构之间，并直接接触所述第一栅结构和所述第二栅结构，其中：所述第一栅结构的面向所述第一器件隔离膜的侧壁包括相对于所述有源图案的上表面具有锐角的第一倾斜表面，并且所述第一器件隔离膜的最下表面低于所述场绝缘膜的最上表面或与所述场绝缘膜的最上表面基本上共面。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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