恭喜正泰新能科技股份有限公司章海明获国家专利权
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龙图腾网恭喜正泰新能科技股份有限公司申请的专利一种太阳能电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119698133B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510213519.6，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权一种太阳能电池是由章海明;蔡永梅;何胜;徐伟智;黄辉忠;王景凯;李健设计研发完成，并于2025-02-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种太阳能电池在说明书摘要公布了：本发明提供了一种太阳能电池。包括：硅基底；第一隧穿层，第一隧穿层具有多个第一缺口；第一结晶导电层，第一结晶导电层延伸至至少一个第一缺口内并与硅基底接触；第二隧穿层，第二隧穿层具有多个第二缺口；第二结晶导电层，第一结晶导电层和或第二结晶导电层延伸至至少一个第二缺口内，使得第二结晶导电层与第一结晶导电层接触；第二隧穿层中第二缺口的密集程度大于第一隧穿层中第一缺口的密集程度。该太阳能电池的设计不仅有效降低了太阳能电池的载流子复合，提升了电池的钝化效果，而且增加了载流子的传输通道，提高了电池的载流子传输效率，从而提升了太阳能电池的效率。
本发明授权一种太阳能电池在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：硅基底；所述硅基底的背面层叠设置有第一隧穿层、第一结晶导电层、第二隧穿层和第二结晶导电层；所述第一隧穿层具有多个第一缺口；所述第一结晶导电层延伸至至少一个所述第一缺口内并与所述硅基底接触；所述第二隧穿层具有多个第二缺口；所述第一结晶导电层和或所述第二结晶导电层延伸至至少一个所述第二缺口内，使得所述第二结晶导电层与所述第一结晶导电层接触；所述第二隧穿层中第二缺口的密集程度大于所述第一隧穿层中第一缺口的密集程度。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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