恭喜合肥矽迈微电子科技有限公司张光耀获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜合肥矽迈微电子科技有限公司申请的专利一种键合焊盘引出式Mos芯片结构及其封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119673779B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510199774.X，技术领域涉及：H01L21/48；该发明授权一种键合焊盘引出式Mos芯片结构及其封装方法是由张光耀设计研发完成，并于2025-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种键合焊盘引出式Mos芯片结构及其封装方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种键合焊盘引出式Mos芯片结构及其封装方法，该工艺包括以下步骤：布线层电镀：在裸片包封后表面外露的源极和栅极连接端口上分别电镀布线层，将电性水平引出；A面电性引出：在源极的布线层上电镀连接柱，并包封研磨暴露出连接柱顶端，将源极电性引出到封装体A面；导电胶与包封料齐平外露，将裸片漏极电性引出到封装体B面，在B面上钻孔，直至暴露出栅极的布线层；在B面电镀金属覆盖导电胶，同时孔内壁电镀与布线层连接，将栅极电性引出到封装体B面，在A面电镀金属覆盖连接柱，本发明将位于裸片正面的栅极电性引出到裸片背面并引出到封装体外，源极引脚和栅极引脚可正常贴装，封装结构的散热效果好。
本发明授权一种键合焊盘引出式Mos芯片结构及其封装方法在权利要求书中公布了：1.一种键合焊盘引出式Mos芯片封装方法，其特征在于，包括以下步骤：布线层电镀：将裸片朝向基板贴装并包封研磨暴露出裸片漏极上覆盖的导电胶，剥离基板并将裸片上下翻转放置，此时裸片源极和栅极与包封料齐平并外露，在裸片包封后表面外露的源极和栅极连接端口上分别电镀布线层，将电性水平引出；A面电性引出：在源极的布线层上电镀连接柱，并包封研磨暴露出连接柱顶端，将源极电性引出到封装体A面；B面电性引出：导电胶与包封料齐平外露，将裸片漏极电性引出到封装体B面，在B面上钻孔，直至暴露出栅极的布线层；双面电镀：在B面电镀金属覆盖导电胶，同时孔内壁电镀与布线层连接，将栅极电性引出到封装体B面，在A面电镀金属覆盖连接柱。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人合肥矽迈微电子科技有限公司，其通讯地址为：230094 安徽省合肥市高新区习友路3699号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号