恭喜北京芯力技术创新中心有限公司刘括获国家专利权
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龙图腾网恭喜北京芯力技术创新中心有限公司申请的专利芯片封装结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119673868B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510186239.0，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权芯片封装结构的制备方法是由刘括;王阳;章莱设计研发完成，并于2025-02-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本芯片封装结构的制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种芯片封装结构的制备方法，适用于半导体技术领域，该制备方法包括在晶圆上依次形成层叠的第一掩膜层和第二掩膜层。形成导电过孔，导电过孔贯穿第二掩膜层和第一掩膜层，并延伸至晶圆内，导电过孔包括位于第二掩膜层内的第一子过孔，第一子过孔包括靠近晶圆的第一开口，以及远离晶圆的第二开口，第二开口的面积大于第一开口的面积。在导电过孔中形成导电结构，导电结构包括位于第一子过孔的第一部。去除第二掩膜层，暴露导电结构的第一部。去除导电结构的第一部。本申请的技术方案实现了芯片封装结构的电学性能的提升。
本发明授权芯片封装结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片封装结构的制备方法，其特征在于，包括：在晶圆上依次形成层叠的第一掩膜层和第二掩膜层；形成导电过孔，所述导电过孔贯穿所述第二掩膜层和所述第一掩膜层，并延伸至所述晶圆内；所述导电过孔包括位于所述第二掩膜层内的第一子过孔，所述第一子过孔包括靠近所述晶圆的第一开口，以及远离所述晶圆的第二开口，所述第二开口的面积大于所述第一开口的面积；在所述导电过孔中形成导电结构，所述导电结构包括位于所述第一子过孔的第一部；去除所述第二掩膜层，暴露所述导电结构的第一部；去除所述导电结构的第一部。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京芯力技术创新中心有限公司，其通讯地址为：100176 北京市大兴区北京经济技术开发区永昌中路16号3号楼1层、2层201；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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