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龙图腾网恭喜强华时代(成都)科技有限公司申请的专利一种半导体结终端结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119521743B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510082742.1，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种半导体结终端结构及其制作方法是由汪志刚;黄孝兵;张卓;余建祖;熊琴;钟驰宇设计研发完成，并于2025-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体结终端结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体结终端结构及其制作方法，属于半导体器件，一种半导体结终端结构，包括衬底及衬底上的外延层区域，外延层区域包括终端区域，终端区域包括P‑JTE工作区域、P+JTE工作区域，P+JTE工作区域在P‑JTE工作区域之内，P+JTE工作区域与P‑JTE工作区域的浓度相差在两个数量级之上，P+JTE工作区域的结深随着终端区域的场限环组内部场限环的深度的变化而变化，终端区域的场限环组位于P‑JTE区域内部并且终端区域的场限环组深度大于P+JTE区域的深度。本发明中P+JTE区域可以缓解主结电场，P‑JTE区域可以缓解P+JTE区域与P‑JTE区域自身的电场强度，并且由于P+JTE的存在，其P‑JTE不受表面电荷的影响，扩大了其P‑JTE的工艺窗口，结深的不同可以提高器件可靠性。

本发明授权一种半导体结终端结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结终端结构，其特征在于：包括衬底（100）及衬底（100）上的外延层区域（101），外延层区域（101）包括终端区域（002），终端区域（002）包括P-JTE工作区域（302）、P+JTE工作区域（301），P+JTE工作区域（301）在P-JTE工作区域（302）之内，P+JTE工作区域（301）与P-JTE工作区域（302）的浓度相差在两个数量级之上，P+JTE工作区域（301）的结深随着终端区域（002）的场限环组内部场限环的深度的变化而变化，终端区域（002）的场限环组位于P-JTE工作区域（302）内部并且终端区域（002）的场限环组深度大于P+JTE工作区域（301）的深度。

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