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龙图腾网恭喜天津大学申请的专利低噪声的MHD角速度传感器的本底噪声确定方法及制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119395322B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411980540.0，技术领域涉及：G01P3/44；该发明授权低噪声的MHD角速度传感器的本底噪声确定方法及制造方法是由李醒飞;刘帆;李建翔;李嘉峰设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本低噪声的MHD角速度传感器的本底噪声确定方法及制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种低噪声的MHD角速度传感器的本底噪声确定方法及制造方法。本底噪声确定方法包括：基于MHD角速度传感器中上电极、下电极、导电流体环、磁芯、初级绕组和次级绕组各自的外形数据，确定MHD角速度传感器的等效电路模型包括的多个等效器件各自的参数值，外形数据包括尺寸数据、材料数据和形状数据；基于多个等效器件各自的参数值以及初级绕组与次级绕组的匝数比，确定MHD角速度传感器的噪声电压功率谱密度；基于MHD角速度传感器的噪声电压功率谱密度，确定MHD角速度传感器的本底噪声。

本发明授权低噪声的MHD角速度传感器的本底噪声确定方法及制造方法在权利要求书中公布了：1.一种低噪声的MHD角速度传感器的本底噪声确定方法，其特征在于，包括：基于导电流体环的外形数据，确定导电等效电阻的参数值，外形数据包括尺寸数据、材料数据和形状数据，导电等效电阻表征导电流体环的等效电阻；基于上电极的外形数据，确定上等效电阻的参数值，上等效电阻表征上电极在MHD角速度传感器的电流路径上的等效电阻；基于下电极的外形数据，确定下等效电阻的参数值，下等效电阻表征下电极在电流路径上的等效电阻；基于上电极和导电流体环各自的外形数据，确定上接触等效电阻的参数值，上接触等效电阻表征导电流体环与上电极的接触面的等效电阻；基于下电极和导电流体环各自的外形数据，确定下接触等效电阻的参数值，下接触等效电阻表征导电流体环与下电极的接触面的等效电阻；基于初级绕组的外形数据，确定初级绕组的等效电阻的参数值；基于次级绕组的外形数据，确定次级绕组的等效电阻的参数值；基于磁芯的外形数据和初级绕组匝数，确定初级绕组的等效电感的参数值；基于多个等效器件各自的参数值以及初级绕组与次级绕组的匝数比，确定MHD角速度传感器的噪声电压功率谱密度，多个等效器件包括导电等效电阻、上等效电阻、下等效电阻、上接触等效电阻、下接触等效电阻、初级绕组的等效电阻、初级绕组的等效电感以及次级绕组的等效电阻；基于MHD角速度传感器的噪声电压功率谱密度，确定MHD角速度传感器的本底噪声。

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