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龙图腾网恭喜上海功成半导体科技有限公司申请的专利一种新型功率器件的制备方法及功率器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119403159B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411975010.7，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种新型功率器件的制备方法及功率器件是由高学;柴展;罗杰馨设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种新型功率器件的制备方法及功率器件在说明书摘要公布了：本申请公开了一种新型功率器件的制备方法及功率器件，涉及功率半导体器件技术领域，能够解决热插拔电路中功率器件因热不稳定烧坏的问题。方法用于制备功率器件，功率器件中包括多个不同阈值电压单元，功率器件开启时按照阈值电压由低到高的顺序进行开启，包括：在衬底的第一表面刻蚀形成多个沟槽，每个沟槽中包括对应的栅极区域，栅极多晶硅位于栅极区域中，栅极多晶硅的第一侧面和源极之间形成第一沟道，栅极多晶硅的第二侧面和源极之间形成第二沟道，源极形成于相邻两个栅极区域之间的栅极氧化层下的衬底中；根据第一沟道的长度和第二沟道的长度，形成多个栅极，多个栅极和源极形成多个不同阈值电压；在衬底的第二表面形成漏极。

本发明授权一种新型功率器件的制备方法及功率器件在权利要求书中公布了：1.一种新型功率器件的制备方法，其特征在于，用于制备功率器件，所述功率器件中包括多个不同阈值电压单元，所述功率器件开启时按照阈值电压由低到高的顺序进行开启，所述方法包括：在衬底的第一表面刻蚀形成多个沟槽，每个所述沟槽中包括对应的栅极区域，栅极多晶硅位于所述栅极区域中，所述栅极多晶硅的第一侧面和源极之间形成第一沟道，所述栅极多晶硅的第二侧面和所述源极之间形成第二沟道，所述源极形成于相邻两个所述栅极区域之间的栅极氧化层下的衬底中；根据所述第一沟道的长度和所述第二沟道的长度，形成多个栅极，所述多个栅极和所述源极形成多个不同阈值电压；在所述衬底的第二表面形成漏极；其中，所述栅极包括第一栅极和第二栅极，所述第一栅极的第一沟道和所述第一栅极的第二沟道长度相同，所述第二栅极的第一沟道和所述第二栅极的第二沟道的长度相同，所述第一栅极的第一沟道的长度小于所述第二栅极的第一沟道的长度；所述根据所述第一沟道的长度和所述第二沟道的长度，形成多个栅极，包括：在第一沟槽中的栅极区域中填充栅极多晶硅，得到第一栅极；将栅极区域中对应的第二沟槽的两个侧壁刻蚀为台阶状后，填充栅极多晶硅，得到第二栅极；或者，所述栅极的第一沟道的长度大于所述栅极的第二沟道的长度；所述根据所述第一沟道的长度和所述第二沟道的长度，形成多个栅极，包括：将每个栅极区域中对应的沟槽的第一侧壁刻蚀为第一台阶，将第二侧壁刻蚀为第二台阶后，填充栅极多晶硅，所述第一台阶对应的沟槽的侧壁长度大于所述第二台阶对应的沟槽的侧壁长度；或者，所述栅极的第一沟道的长度大于所述栅极的第二沟道的长度；所述根据所述第一沟道的长度和所述第二沟道的长度，形成多个栅极，包括：将每个栅极区域中对应的沟槽的一个侧壁刻蚀为台阶状后，在所述沟槽中的栅极区域填充栅极多晶硅。

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