恭喜北京怀柔实验室;北京智慧能源研究院金锐获国家专利权
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龙图腾网恭喜北京怀柔实验室;北京智慧能源研究院申请的专利半导体功率器件的终端结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119342875B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411890627.9，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体功率器件的终端结构及其制作方法是由金锐;郝夏敏;和峰;田宝华;聂瑞芬;刘江;李翠设计研发完成，并于2024-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体功率器件的终端结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体功率器件的终端结构及其制作方法。半导体功率器件的终端结构包括漂移层和外延层，漂移层的导电类型为第一导电类型；外延层位于漂移层的一侧，外延层的导电类型为第二导电类型，第一导电类型与第二导电类型不同，外延层包括多个掺杂区，各掺杂区内的掺杂浓度沿第一预定方向递减或递增，第一预定方向与外延层的厚度方向垂直。解决了现有技术中如何提升半导体功率器件的耐压的技术问题。
本发明授权半导体功率器件的终端结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体功率器件的终端结构的制作方法，其特征在于，包括：提供漂移层，其中，所述漂移层具有第一导电类型；形成步骤，在所述漂移层一侧的表面形成预备掺杂层，所述预备掺杂层具有第二导电类型，所述第一导电类型与所述第二导电类型不同；去除步骤，去除部分所述预备掺杂层以使部分所述漂移层裸露，其中，去除的所述预备掺杂层位于剩余的所述预备掺杂层的第一预定方向；重复步骤，依次重复所述形成步骤和所述去除步骤至少一次，并在重复过程中增加所述形成步骤中的所述预备掺杂层的掺杂浓度，或者在重复过程中减小所述形成步骤中的所述预备掺杂层的掺杂浓度，形成外延层，所述外延层包括至少一个掺杂区，各所述掺杂区内的掺杂浓度沿第一预定方向递减或递增，所述第一预定方向与所述外延层的厚度方向垂直。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京怀柔实验室;北京智慧能源研究院，其通讯地址为：101400 北京市怀柔区杨雁东一路8号院5号楼319室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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