恭喜深圳市汉嵙新材料技术有限公司易典获国家专利权
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龙图腾网恭喜深圳市汉嵙新材料技术有限公司申请的专利基于溅射制备疏液膜的方法、疏液膜及疏液功能器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119332217B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411874505.0，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权基于溅射制备疏液膜的方法、疏液膜及疏液功能器件是由易典;王荣福;蔡比亚;袁昌理;朱海峰;徐茂军;张志鹏设计研发完成，并于2024-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于溅射制备疏液膜的方法、疏液膜及疏液功能器件在说明书摘要公布了：本公开提供了一种基于溅射制备疏液膜的方法、疏液膜及疏液功能器件。该基于溅射制备疏液膜的方法包括如下步骤：将基材设置于位于溅射腔室的承载台上，溅射腔室中设置有磁性材料靶，承载台中设置有磁场发生结构，磁场发生结构用于调控磁性材料在基材表面的沉积区域。将磁性材料靶溅射沉积于基材上，形成磁性图案层，磁性图案层远离基材的表面形成有多个间隔设置的凸起结构；以及，在磁性图案层的凸起结构上沉积碳纳米角。该制备方法通过设置磁场发生结构和磁性材料的组合能够直接制备得到具有凸起结构的磁性图案层，无需依赖例如光刻等微加工工艺，因而具有更高的生产效率和更低的生产成本，有利于规模化生产应用。
本发明授权基于溅射制备疏液膜的方法、疏液膜及疏液功能器件在权利要求书中公布了：1.一种基于溅射制备疏液膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：将基材设置于位于溅射腔室的承载台上，所述溅射腔室中设置有磁性材料靶，所述承载台中设置有磁场发生结构，所述磁场发生结构用于调控磁性材料在所述基材表面的沉积区域；将所述磁性材料靶溅射沉积于所述基材上，形成磁性图案层，所述磁性图案层远离所述基材的表面形成有多个间隔设置的凸起结构；以及，在所述磁性图案层的所述凸起结构上沉积碳纳米角；所述磁场发生结构包括图案化设置的永磁体，所述永磁体中设置有多个朝向所述承载台表面凸起的凸起部和相对于所述凸起部呈凹陷状的凹槽区域，所述凹槽区域设置于相邻的两个所述凸起部之间且间隔相邻的两个所述凸起部。
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