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龙图腾网恭喜北京怀柔实验室申请的专利MOSFET器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119300427B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411828390.1，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权MOSFET器件及其制备方法是由金锐;李新宇;牛喜平;桑玲;刘浩;何亚伟;徐开轩;董少华;路雅淇;李哲洋设计研发完成，并于2024-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本MOSFET器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种MOSFET器件及其制备方法，MOSFET器件包括：衬底；漂移层；第一JFET区沿第一方向延伸；第一阱区位于漂移层中，且第一阱区位于第一JFET区在第一方向上的一侧；第一掺杂区位于第一阱区中，第一掺杂区与第一JFET区之间具有部分第一阱区；导电层至少覆盖部分第一JFET区；栅极结构至少覆盖部分第一掺杂区和部分第一JFET区。MOSFET器件在正向导通时可以使电流顺利的经过第一掺杂区流经至第一JFET区，参与正向导电；在反向导通时电流经过导电层进入被导电层覆盖的第一JFET区中，通过调控第一JFET区具有较高的掺杂浓度，电流可以迅速扩展，表现出MOSFET器件优秀的反向特性能力。

本发明授权MOSFET器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种MOSFET器件，其特征在于，包括：衬底；漂移层，位于所述衬底的一侧；第一JFET区，位于所述漂移层中，所述第一JFET区沿第一方向延伸，所述第一方向与所述衬底指向所述漂移层的方向垂直，所述第一JFET区的掺杂浓度为1e16cm-3~2e17cm-3；第一阱区，位于所述漂移层中，且所述第一阱区位于所述第一JFET区在所述第一方向上的一侧；第一掺杂区，位于所述第一阱区中，所述第一掺杂区与所述第一JFET区之间具有部分所述第一阱区；导电层，至少覆盖部分所述第一JFET区，所述导电层与所述第一JFET区之间形成肖特基接触；栅极结构，至少覆盖部分所述第一掺杂区和部分第一JFET区。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京怀柔实验室，其通讯地址为：101400 北京市怀柔区杨雁东一路8号院5号楼319室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。