恭喜西湖仪器(杭州)技术有限公司朱佳凯获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜西湖仪器(杭州)技术有限公司申请的专利一种SiC晶锭激光剥离生成晶片的方法和设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119283210B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411803517.4，技术领域涉及：B28D5/00；该发明授权一种SiC晶锭激光剥离生成晶片的方法和设备是由朱佳凯;刘峰江;曹思敏;刘东立设计研发完成，并于2024-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种SiC晶锭激光剥离生成晶片的方法和设备在说明书摘要公布了：本发明涉及晶片生成方法，尤其涉及一种SiC晶锭激光剥离生成晶片的方法和设备。该方法通过调整SiC锭的旋转角度和激光束的扫描方向，使激光束的扫描方向相对于主切边偏离一个特定的角度范围，从而改善改质层的形成和裂痕的传播路径，减少了晶圆缺陷的残留，提高了成品合格率。
本发明授权一种SiC晶锭激光剥离生成晶片的方法和设备在权利要求书中公布了：1.一种SiC晶锭激光剥离生成晶片的方法，包括以下步骤：1）从SiC晶锭的第一面形成与该第一面平行的改质层，改质层通过对锭照射改质用激光束，并使该改质用激光束的聚光点定位在距离该第一面相当于要生成的晶片厚度的深度；2）在改质层形成后，从改质层延伸裂痕至SiC晶锭的解理面，以便沿着裂痕将SiC晶片从锭中剥离；其特征在于，SiC晶锭具有原与改质用激光束扫描方向相垂直的主切边，调整SiC晶锭的旋转角度和改质用激光束的扫描方向；当改质用激光束的扫描方向为从后往前时，使改质用激光束的扫描方向相对于主切边顺时针偏离，偏离角在1°至15°之间；当改质用激光束的扫描方向为从前往后时，使改质用激光束的扫描方向相对于主切边逆时针偏离，偏离角在1°至15°之间；激光沿偏移晶向路径扫描，使裂痕沿着解理面逐渐向晶锭侧延伸。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西湖仪器(杭州)技术有限公司，其通讯地址为：310024 浙江省杭州市西湖区转塘街道转塘科技经济区块2号1幢6层601室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号