恭喜中茵微电子(南京)有限公司吴娟萍获国家专利权
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龙图腾网恭喜中茵微电子(南京)有限公司申请的专利一种针对于高速模拟芯片的dummy填充方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119230546B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411721169.6，技术领域涉及：H10D89/10；该发明授权一种针对于高速模拟芯片的dummy填充方法是由吴娟萍;王洪鹏设计研发完成，并于2024-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种针对于高速模拟芯片的dummy填充方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种针对于高速模拟芯片的dummy填充方法，该方法包括：测试每一层金属层的用来阻挡dummy填充的工艺层次的极限大小和极限间距；在所需要填充dummy的金属层等间距的使用所述极限大小的阻挡工艺层次；将每层阻挡工艺层次做成阻挡单元；根据所述极限间距和所述阻挡单元填充dummy。本发明根据每种芯片类型控制填充dummy密度，既满足drc要求，又减小填充dummy所产生的额外寄生电容造成芯片性能大幅度下降。
本发明授权一种针对于高速模拟芯片的dummy填充方法在权利要求书中公布了：1.一种针对于高速模拟芯片的dummy填充方法，其特征在于，包括：测试每一层金属层的用来阻挡dummy填充的工艺层次的极限大小和极限间距；所述测试每一层金属层的用来阻挡dummy填充的工艺层次的极限大小和极限间距包括：设计用来阻挡dummy填充的工艺层次规则；设计测试电路；在所述测试电路中应用用来阻挡dummy填充的工艺层次；验证测试电路是否能够正常工作；多次改变用来阻挡dummy填充的工艺层次的大小和间距测试每一层金属层的用来阻挡dummy填充的工艺层次的极限大小和极限间距；在所需要填充dummy的金属层等间距的使用所述极限大小的阻挡工艺层次；将每层阻挡工艺层次做成阻挡单元；所述将每层阻挡工艺层次做成阻挡单元包括：构建阻挡单元模板；填写所述阻挡单元模板中的参数；生成阻挡单元；根据所述极限间距和所述阻挡单元填充dummy。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中茵微电子(南京)有限公司，其通讯地址为：210000 江苏省南京市浦口区浦口经济开发区双峰路69号A-27；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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