恭喜深圳平湖实验室顾怡恬获国家专利权
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龙图腾网恭喜深圳平湖实验室申请的专利半导体器件及其制备方法、芯片、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119208266B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411696029.8，技术领域涉及：H01L23/31；该发明授权半导体器件及其制备方法、芯片、电子设备是由顾怡恬;蔡子东;姜作衡设计研发完成，并于2024-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制备方法、芯片、电子设备在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、芯片、电子设备，涉及半导体技术领域，旨在提高半导体器件的性能，所述半导体器件包括衬底、盖帽层、栅极层、保护层、源极和漏极，盖帽层设置于所述衬底的一侧，栅极层设置于所述盖帽层远离所述衬底的一侧，保护层至少位于所述栅极层在第一方向上的相对两侧，且设置于所述盖帽层远离所述衬底的一侧，所述第一方向平行于所述衬底，源极和漏极沿所述第一方向位于所述盖帽层的相对两侧。上述半导体器件应用于芯片中。
本发明授权半导体器件及其制备方法、芯片、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底；盖帽层，设置于所述衬底的一侧；所述盖帽层的材料包括P型杂质；栅极层，设置于所述盖帽层远离所述衬底的一侧；保护层，至少位于所述栅极层在第一方向上的相对两侧，且设置于所述盖帽层远离所述衬底的一侧，所述第一方向平行于所述衬底；所述保护层靠近所述衬底的一侧表面和所述盖帽层远离所述衬底的一侧表面接触，且所述保护层和所述盖帽层之间存在元素扩散区域；源极和漏极，沿所述第一方向位于所述盖帽层的相对两侧。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳平湖实验室，其通讯地址为：518116 广东省深圳市龙岗区平湖街道中科亿方智汇产业园12栋；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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