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龙图腾网恭喜上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利一种正面超级结背面IGBT的工艺方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115172438B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210746098.X，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种正面超级结背面IGBT的工艺方法是由潘嘉;杨继业;邢军军;陈冲设计研发完成，并于2022-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种正面超级结背面IGBT的工艺方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种正面超级结背面IGBT的工艺方法，在基底正面依次形成第一、第二外延层；形成穿透第一、第二外延层至基底中的多个深沟槽；在深沟槽中填充P型外延材料，形成P柱；第二外延层表面形成有N型埋层；在N型埋层及P柱上表面形成第三外延层；在第三外延层中的每个P柱上方两侧形成沟槽；在每个沟槽之间形成体区；形成ILD层覆盖沟槽、体区及第三外延层；在第三外延层上形成金属钝化层；对基底进行背面减薄，并减薄至去除P柱厚度为1至5微米；在基底背面形成一层场截止注入层；在基底背面的P柱端形成硼注入层；在基底背面形成一层金属电极。本发明通过减薄去除P柱底部倒角区域来稳定击穿电压，并减薄芯片厚度来降低导通压降。

本发明授权一种正面超级结背面IGBT的工艺方法在权利要求书中公布了：1.一种正面超级结背面IGBT的工艺方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供基底，在所述基底正面依次形成第一外延层以及位于所述第一外延层上的第二外延层；步骤二、形成穿透所述第一、第二外延层至所述基底中的多个深沟槽；并在所述深沟槽中填充P型外延材料，形成P柱；步骤三、所述第二外延层表面形成有N型埋层；在所述N型埋层以及所述P柱上表面形成第三外延层；之后在所述第三外延层中的每个所述P柱上方两侧形成沟槽；之后在每个所述沟槽之间形成体区；步骤四、形成ILD层覆盖所述沟槽、体区以及第三外延层；之后在所述第三外延层上形成金属钝化层；步骤五、对所述基底进行背面减薄，并且减薄至去除所述P柱厚度为1至5微米；步骤六、在所述基底背面形成一层场截止注入层；之后在所述基底背面的所述P柱端形成硼注入层；步骤七、在所述基底背面形成一层金属电极。

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