恭喜台湾积体电路制造股份有限公司曹淳凯获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利图像传感器及其形成方法及集成芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113314549B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010706218.4，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权图像传感器及其形成方法及集成芯片是由曹淳凯;周正贤;卢玠甫设计研发完成，并于2020-07-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本图像传感器及其形成方法及集成芯片在说明书摘要公布了：本公开的各种实施例涉及一种具有设置在衬底内的光电探测器的图像传感器。衬底具有前侧表面及后侧表面。吸收增强结构沿衬底的后侧表面设置且上覆在光电探测器上。吸收增强结构包括从衬底的后侧表面向外延伸的多个突起。所述多个突起中的每一突起包括相对的弯曲侧壁。
本发明授权图像传感器及其形成方法及集成芯片在权利要求书中公布了：1.一种图像传感器，包括：衬底，包括前侧表面及后侧表面；光电探测器，设置在所述衬底内；吸收增强结构，沿所述衬底的所述后侧表面设置且上覆在所述光电探测器上，其中所述吸收增强结构包括从所述衬底的所述后侧表面向外延伸的多个突起，且其中所述多个突起中的每一突起包括相对的弯曲侧壁；钝化层，沿所述衬底的所述后侧表面设置，其中所述钝化层接触所述多个突起中的每一突起的上表面及所述相对的弯曲侧壁；以及内连结构，沿所述衬底的所述前侧表面设置，其中所述内连结构包括内连介电结构、多个导电通孔及多条导电配线，其中所述钝化层从所述衬底的所述后侧表面上方连续地垂直延伸到所述内连结构。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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