买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜武汉华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利显示面板及显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111785759B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010694709.1，技术领域涉及：H10K59/121；该发明授权显示面板及显示装置是由龚吉祥设计研发完成，并于2020-07-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本显示面板及显示装置在说明书摘要公布了：本申请提供一种显示面板及显示装置，所述显示面板包括衬底基板和设置于衬底基板上的薄膜晶体管阵列层，薄膜晶体管阵列层内设有多个间隔排布的第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和存储电容，第一薄膜晶体管包括层叠设置的多晶硅半导体层和第一栅极，第二薄膜晶体管包括层叠设置的氧化物半导体层和第二栅极，第一栅极与第一极板构成存储电容，将第一极板与第二薄膜晶体管的第二栅极同层设置，可以省略用于将第一极板与第一栅极、第二栅极分层隔开的栅极绝缘层，以此减少显示面板中的膜层数量以及膜层叠构的厚度，从而降低显示面板工艺流程的复杂程度，并提高显示面板的弯折能力。

本发明授权显示面板及显示装置在权利要求书中公布了：1.一种显示面板，其特征在于，包括：衬底基板；薄膜晶体管阵列层，设置于所述衬底基板上，所述薄膜晶体管阵列层内设有多个间隔排布的第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和存储电容；其中，所述第一薄膜晶体管包括层叠设置的多晶硅半导体层和第一栅极，所述第二薄膜晶体管包括层叠设置的氧化物半导体层和第二栅极，所述存储电容包括设置于所述第一栅极远离所述衬底基板一侧上的第一极板，所述第一栅极与所述第一极板构成所述存储电容，所述第一极板与所述第二栅极同层设置，所述第一极板在所述衬底基板上的正投影区域与所述第一栅极在所述衬底基板上的正投影区域重叠；所述存储电容包括第一电容和第二电容，所述第一栅极与所述第一极板之间设有第二极板，所述第一栅极与所述第二极板构成所述第一电容，所述第一极板与所述第二极板构成所述第二电容，所述第一电容与所述第二电容并联。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人武汉华星光电半导体显示技术有限公司，其通讯地址为：430079 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道666号光谷生物创新园C5栋305室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。