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龙图腾网恭喜株洲中车时代半导体有限公司申请的专利一种晶闸管芯片、晶闸管及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111883587B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010677130.4，技术领域涉及：H10D18/00；该发明授权一种晶闸管芯片、晶闸管及其制作方法是由王东东;王政英;姚震洋;高军;银登杰;郭润庆;刘军设计研发完成，并于2020-07-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种晶闸管芯片、晶闸管及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种晶闸管芯片及其制作方法，其中所述芯片包括，位于阳极P型层之上的N型基区及P型基区；位于所述P型基区上表面内的阴极N型区；位于所述阴极发射N型区之上的阴极金属；位于所述P型基区表面之上放大门极金属及中心门极金属；位于放大门极金属之上指定厚度的第一介质薄膜层；及所述阳极P型层之下的阳极金属。本发明无需传统结构来实现放大门级悬空，即可达到封装时放大门级与阴极隔离的目的，并能提高耐受didt的能力，有利于提升晶闸管性能，延长使用寿命，降低了工艺复杂程度，降低了工艺成本。

本发明授权一种晶闸管芯片、晶闸管及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种晶闸管芯片，其特征在于，包括：位于阳极P型层之上的N型基区，且位于所述N型基区之上的P型基区；位于所述P型基区部分区域内且上表面与所述P型基区上表面齐平的阴极N型区，其中所述阴极N型区包括阴极发射N型区和门极N型区；位于所述阴极发射N型区之上且显露部分所述阴极发射N型区上表面的阴极金属；位于所述P型基区表面之上且同时与所述P型基区和所述门极N型区接触的放大门极金属，及位于所述P型基区上表面之上且不与所述门极N型区接触的中心门极金属；位于所述放大门极金属之上指定厚度的第一绝缘介质薄膜层；及所述阳极P型层之下的阳极金属；位于所述放大门极金属之上、以及所述阴极金属之上的钼片；所述放大门极金属与所述阴极金属厚度相同，所述第一绝缘介质薄膜层厚度远小于所述放大门极金属、所述阴极金属和所述钼片的厚度，且远小于所述放大门极金属、所述阴极金属和所述钼片的公差，可达到所述放大门极金属和所述阴极金属隔离的目的，也可达到所述阴极金属与所述钼片接触的目的。

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