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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112420713B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010644361.5，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权半导体装置是由朴株院;李雄燮;郑义完;千志成设计研发完成，并于2020-07-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：外围电路区域，位于第一基底上并且包括电路器件；存储器单元区域，位于覆盖在第一基底上的第二基底上，其中，存储器单元区域包括在与第二基底的上表面垂直的第一方向上彼此间隔开地堆叠的栅电极；以及沟道结构，在第二基底上竖直地延伸并且穿透栅电极。沟道结构可以包括沟道层。半导体装置包括具有贯通接触插塞的贯通布线区域，贯通接触插塞在第一方向上延伸并且使存储器单元区域和外围电路区域彼此电连接，其中，贯通布线区域包括围绕贯通接触插塞的绝缘区域。贯通布线区域还包括遍及贯通布线区域规则地布置并且包括沟道层的虚设沟道结构。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：外围电路区域，位于第一基底上并且包括电路器件；存储器单元区域，位于覆盖在所述第一基底上的第二基底上，其中，所述存储器单元区域包括在与所述第二基底的上表面垂直的第一方向上彼此间隔开的栅电极，其中，所述存储器单元区域包括穿透所述栅电极且竖直地延伸到所述第二基底的沟道结构，其中，所述沟道结构包括沟道层；以及贯通布线区域，使所述存储器单元区域和所述外围电路区域电连接，其中，所述贯通布线区域包括：贯通接触插塞，在所述第一方向上延伸以穿透所述存储器单元区域，其中，所述贯通接触插塞使所述存储器单元区域和所述电路器件电连接；绝缘区域，围绕所述贯通接触插塞，其中，所述绝缘区域包括交替地堆叠的第一绝缘层和第二绝缘层；以及虚设沟道结构，穿透所述第一绝缘层和所述第二绝缘层，其中，所述虚设沟道结构包括所述沟道层，其中，所述虚设沟道结构按行和列布置，使得至少一个虚设沟道结构定位在彼此相邻的贯通接触插塞之间。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道水原市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。