恭喜广东中图半导体科技股份有限公司张剑桥获国家专利权
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龙图腾网恭喜广东中图半导体科技股份有限公司申请的专利一种图形化复合衬底、LED外延片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113889557B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010636320.1，技术领域涉及：H10H20/82；该发明授权一种图形化复合衬底、LED外延片及其制备方法是由张剑桥;吴伟;康凯;肖桂明;杨锤设计研发完成，并于2020-07-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种图形化复合衬底、LED外延片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明实施例公开了一种图形化复合衬底、LED外延片及其制备方法。该图形化复合衬底包括衬底基板、位于所述衬底基板上的多个复合微结构，所述复合微结构包括上下层叠的异质层和衬底层，所述衬底层与所述衬底基板为一体结构；所述衬底层与所述异质层相交界的表面设置有至少一个凹洞和或至少一个凸起，所述异质层与所述衬底层构成复合微结构凸起。本发明实施例解决了现有图形化复合衬底内量子效率和光提取效率仍较低的问题，一方面能够改善外延材料的晶体质量，提升内量子效率，另一方面可以增大光反射角，提升光的提取效率，有助于改善对应制备的LED芯片的出光效率。
本发明授权一种图形化复合衬底、LED外延片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种图形化复合衬底的制备方法，其特征在于，包括：提供一衬底基板，并在所述衬底基板上进行图形化，形成至少一个凹洞和或至少一个凸起；在所述衬底基板上形成异质层；对所述异质层以及所述衬底基板进行图形化，形成多个复合微结构；其中，所述复合微结构包括上下层叠的异质层和衬底层，所述衬底层与所述衬底基板为一体结构；所述至少一个凹洞和或至少一个凸起位于所述衬底层与所述异质层相交界的表面，所述异质层与所述衬底层构成复合微结构凸起。
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