恭喜中科晶源微电子技术(北京)有限公司马卫民获国家专利权
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龙图腾网恭喜中科晶源微电子技术(北京)有限公司申请的专利套刻对准标记、套刻误差测量方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111522209B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010494717.1，技术领域涉及：G03F9/00；该发明授权套刻对准标记、套刻误差测量方法是由马卫民;韩春营;刘成成;黄守艳设计研发完成，并于2020-06-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本套刻对准标记、套刻误差测量方法在说明书摘要公布了：提出一种位于已形成图案的晶片中的套刻对准标记和一种套刻误差测量方法，所述晶片具备位于其第一层中的下层图案和位于其第一层上方的第二层中的上层图案，所述套刻对准标记包括：第一图案，作为所述下层图案的一部分且包括：形成于所述第一层的一对实体特征；第二图案，作为所述上层图案的一部分且包括：形成于所述第二层的两对镂空特征，一对镂空特征的几何中心连线与另一对镂空特征的几何中心连线分别沿正交的两方向延伸，所述一对实体特征在晶片上的正投影与所述两对镂空特征中的相应一对镂空特征在晶片上的正投影至少部分地重叠。
本发明授权套刻对准标记、套刻误差测量方法在权利要求书中公布了：1.一种位于已形成图案的晶片中的套刻对准标记，利用已有图案的部分图形特征来充当所述套刻对准标记，所述晶片具备位于所述晶片的第一层中的下层图案和位于所述晶片的第一层上方的第二层中的上层图案，所述套刻对准标记包括：第一图案，作为所述下层图案的一部分且包括：形成于所述第一层的一对实体特征；第二图案，作为所述上层图案的一部分且包括：形成于所述第二层的两对镂空特征，一对镂空特征的几何中心连线与另一对镂空特征的几何中心连线分别沿正交的两方向延伸，其中，所述一对实体特征在晶片上的正投影与所述两对镂空特征中的相应一对镂空特征在晶片上的正投影至少部分地重叠。
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