恭喜江西乾照光电有限公司滕龙获国家专利权
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龙图腾网恭喜江西乾照光电有限公司申请的专利一种LED外延片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111009599B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010002935.9，技术领域涉及：H10H20/819；该发明授权一种LED外延片及其制备方法是由滕龙;霍丽艳;吴洪浩;刘兆设计研发完成，并于2020-01-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种LED外延片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种LED外延片及其制备方法，包括：提供衬底；对所述衬底进行加热，并采用氮化气体对所述衬底进行氮化处理，以在所述衬底表面形成翘曲控制层，其中所述氮化气体至少包括氨气；在所述翘曲控制层表面依次形成N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层。对衬底进行加热，并采用氮化气体对衬底进行氮化处理，使得氨气与衬底表面的一些化学键结合，形成晶格常数介于衬底和半导体层中间的物质即翘曲控制层，减少衬底和半导体层之间因晶格失配产生的压应力或张应力，进而减小和改变LED外延片的翘曲，提高LED外延片的波长均匀性，提高LED外延片的良率，节约后续形成的LED芯片的分选成本。
本发明授权一种LED外延片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种LED外延片的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底为PSS镀AlN衬底或蓝宝石衬底；对所述衬底进行加热，并采用氮化气体对所述衬底进行氮化处理，其中所述氮化气体至少包括氨气，使得氨气与所述衬底表面的化学键结合，以在所述衬底表面形成翘曲控制层；在所述翘曲控制层表面依次形成N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层，所述翘曲控制层的晶格常数介于所述衬底的晶体常数和所述N型半导体层的晶格常数之间。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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