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龙图腾网恭喜湖南融创微电子股份有限公司申请的专利抗辐照标准单元库版图设计方法、装置和设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119692291B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510196334.9，技术领域涉及：G06F30/392；该发明授权抗辐照标准单元库版图设计方法、装置和设备是由赖善坤;刘祥远;刘晔;祁勇;房盼攀;刘冰媚设计研发完成，并于2025-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本抗辐照标准单元库版图设计方法、装置和设备在说明书摘要公布了：为了克服现有技术中存在的版图设计耗时长、周期长、效率低以及成本高的问题，本发明提出一种抗辐照标准单元库版图设计方法、装置和设备。所述设计方法通过获取原始工艺和目标工艺商用库的设计规则文件，生成版图工艺移植规则，结合目标工艺抗辐照设计规则进一步生成抗辐照版图工艺移植规则，按照所述抗辐照版图工艺移植规则对原始工艺抗辐照标准单元库版图进行移植操作，生成目标工艺抗辐照标准单元库版图。该设计方法保证了抗辐照标准单元库版图设计周期短，效率高，成本低，配置灵活的特点。基于本发明设计的抗辐照标准单元库版图，适用于宇航级集成电路的设计，大大减少了工艺制造成本。

本发明授权抗辐照标准单元库版图设计方法、装置和设备在权利要求书中公布了：1.一种抗辐照标准单元库版图设计方法，其特征在于，所述方法基于工艺移植的方式进行标准单元版图设计，包括如下步骤：步骤S110：获取原始工艺商用库的第一设计规则文件和目标工艺商用库的第二设计规则文件，所述第一设计规则文件与第二设计规则文件都包含多项工艺信息，将所述工艺信息作为计算机处理的输入数据；所述工艺信息包括：原始工艺程序中的第一图层信息文件与目标工艺程序中的第二图层信息文件所定义的图层名称、GDS号与数据类型；所述图层名称、GDS号与数据类型这三类工艺信息中的每一类在第一图层信息文件与第二图层信息文件中都不完全相同；所述原始工艺商用库和目标工艺商用库中，各自的标准单元版图采用统一的设计高度，所述设计高度是相应标准单元版图中金属布线轨道宽度的整数倍；标准单元版图结构都遵循最小宽度、最小高度与最小面积原则；所述标准单元版图结构的中线位置；所述标准单元版图结构中NMOS与PMOS区域划分；工艺节点的栅长与源漏区域的长度；边界图层的位置，通孔的大小，通孔到有源区边界的距离；步骤S120：对第一设计规则文件和第二设计规则文件中所述工艺信息进行异同性比较；利用所述异同性比较的数据结果，采用高级编程语言设计对目标工艺商用库的版图进行移植操作的商用库版图工艺移植规则；所述商用库版图工艺移植规则结合目标工艺抗辐照设计规则，生成抗辐照版图工艺移植规则；步骤S130：将原始工艺抗辐照标准单元库版图按所述步骤S120得到的所述抗辐照版图工艺移植规则进行工艺移植操作，生成目标工艺抗辐照标准单元库版图，并将其记录在一个文件“all.gds”中；步骤S140：验证所述目标工艺抗辐照标准单元库版图的抗辐照性能是否满足目标工艺设计要求，若验证不通过，则进行抗辐照加固的优化，直至满足设计要求为止；步骤S150：输出满足目标工艺设计要求的目标工艺抗辐照标准单元库版图的设计数据。

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