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龙图腾网恭喜深圳市森国科科技股份有限公司申请的专利具有异质结的Si/SiC MOS器件及制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119584591B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510133698.2，技术领域涉及：H10D30/63；该发明授权具有异质结的Si/SiC MOS器件及制作方法是由杨啸;杨承晋;刘涛;兰华兵设计研发完成，并于2025-02-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有异质结的Si/SiC MOS器件及制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种具有异质结的SiSiCMOS器件和制作方法，该器件包括：硅衬底、硅区、碳化硅区和栅极区；硅区，位于硅衬底之上，用于实现器件的高沟道迁移率；碳化硅区，位于硅区之上，用于使器件具有高击穿电压，以及在零栅压下，还具有低击穿电压的状态；栅极区在垂直方向上贯穿碳化硅区，栅极区的底部位于硅区中。该器件采用Si‑SiC异质结的结构，同时兼具了SiC击穿电压高和Si沟道迁移率高的优势，具有提高击穿电压，降低导通电阻和功耗低等优势，还具有正向导通、栅极0V低压击穿和栅极负压是高压的三种不同状态，并增加了低压条件下的使用功能，增强器件在低压条件下的使用稳定性。

本发明授权具有异质结的Si/SiC MOS器件及制作方法在权利要求书中公布了：1.一种具有异质结的SiSiCMOS器件，其特征在于，包括：硅衬底、硅区、碳化硅区和栅极区；所述硅区，位于所述硅衬底之上，用于实现所述器件的高沟道迁移率；所述碳化硅区，位于所述硅区之上，用于使所述器件具有高击穿电压，以及在零栅压下，还具有低击穿电压的状态；所述栅极区在垂直方向上贯穿所述碳化硅区，所述栅极区的底部位于所述硅区中；所述硅区包括：硅外延层、P型基区和N+型有源区；所述硅外延层位于所述硅衬底之上；所述P型基区和所述N+型有源区均位于所述硅外延层中，且所述P型基区的上表面、所述N+型有源区的上表面和所述硅外延层的上表面位于同一水平面；所述P型基区呈间隔分布；所述P型基区和所述N+型有源区一一对应设置，且所述N+型有源区位于所述P型基区中；所述碳化硅区包括：P区、P型阱区和N型有源区；所述N型有源区与所述N+型有源区一一对应设置，且所述N型有源区位于所述N+型有源区之上；所述N型有源区位于所述栅极区的周围，且所述N型有源区与所述栅极区相接触；所述P区与所述P型基区一一对应设置，且所述P区位于所述P型基区之上；所述P区位于所述N型有源区的远离所述栅极区的一侧，且所述P区与所述N型有源区相接触；所述P型阱区位于所述P区和所述N型有源区中，所述P型阱区与所述栅极区之间在水平方向上存在贴合距离；所述器件用于通过碳化硅区和硅区形成的异质结结构，使器件具有正栅偏导通、栅极0V低压击穿和栅极负压的三种不同状态的开关特性，以及在低击穿电压状态，对回路中电流做泄放。

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